TK12A50D(STA4,Q,M)
品牌 :
TOSHIBA(东芝)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 45W 500V 12A 1个N沟道 TO-220SIS
库存 :
1340(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
3.46按整 :
管(1管有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.46
--
100+
￥2.66
--
1250+
￥2.31
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
TK12A50D(STA4,Q,M)参数
| 封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 500V | 安装类型 | 通孔(THT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 520 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
TK12A50D(STA4,Q,M)手册
TK12A50D(STA4,Q,M)概述
TK12A50D(STA4,Q,M) 产品概述
TK12A50D(STA4,Q,M) 是一款高性能 N 通道 MOSFET，由东芝（TOSHIBA）公司生产，采用 TO-220-3 整包封装。该器件专为高电压和高电流应用设计，具有出色的耐压能力和电流承载能力，适用于多种电子产品和电源管理系统。
主要参数
封装/外壳: TO-220-3 整包
- 这种封装形式有助于优化散热性能，能够在高温和高功率条件下稳定工作，提高整体系统的可靠性。
FET 类型: N 通道
- N 通道 MOSFET 通常具有更低的导通电阻和更高的开关速度，非常适合需要频繁开关的应用。
漏源极电压 (Vdss): 500V
- 该器件承受的漏源极电压高达 500V，使其适用于高电压电源和电机驱动等应用。
电流规格:
- 连续漏极电流 (Id): 12A (在 25°C 时)
- 适合在中到高负载条件下运行，能够满足大多数电力管理和驱动程序的需求。
导通电阻 (Rds(on)):
- 最大值为 520 毫欧 @ 6A，10V
- 该参数的低值有助于降低功耗和热量产生，提高系统的能效。
驱动电压 (Vgs) 最大值: ±30V
- 使该器件能够适应多种驱动电压，兼容性强。
阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V @ 1mA
- 这意味着器件在相对较低的电压下就可以开启，提高了控制的灵活性。
输入电容 (Ciss): 最大值 1350pF @ 25V
- 较低的输入电容有助于提高开关速度，适合高频率应用。
功率耗散 (Pd): 最大值 45W (在 Tc 时)
- 在较高的功率条件下仍能提供可靠的性能，适用于需要高功率密度的设计。
工作温度范围: 150°C (TJ)
- 适合高温环境，使该器件在多种苛刻条件下依然可靠工作。
应用场景
TK12A50D(STA4,Q,M) 的设计使其能够应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源: 因其高效能和高耐压能力，可以在开关电源中用于作为主开关元件。
- 电机控制: 在电机驱动应用中，能够有效控制电机的功率和速度，提高效率。
- 逆变器: 适用于太阳能逆变器和其他可再生能源系统，能够提供稳定的功率输出。
- 电源管理: 在各种消费电子及工业设备中，作为电源管理解决方案的重要组件。
性能优势
TK12A50D(STA4,Q,M) 作为一款先进的 N 通道 MOSFET，具有以下优点：
- 高效率: 可以降低开关损耗和导通损耗，提升整体效率。
- 提升系统可靠性: 采用高品质材料和先进制造工艺，确保器件在各种操作条件下的稳定性。
- 散热良好: TO-220 封装形式能够有效散热，适合在长时间工作下保持低温运行。
- 兼容性广: 适合多种电路设计，提升设计灵活性和集成度。
总之，TK12A50D(STA4,Q,M) 是一款功能强大、性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的技术规格和广泛的应用场景，为设计工程师提供了理想的方案选择，满足现代电子产品对高效能和高可靠性的需求。