DMN2005K-7
DMN2005K-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，2.7V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 100µA | Vgs（最大值） | ±10V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN2005K-7手册
DMN2005K-7概述
DMN2005K-7 产品概述
一、产品基本信息
DMN2005K-7 是一种高性能的 N 通道 MOSFET，适用于各种电子电路的开关和放大应用。该器件的设计注重于低导通电阻和高输入阻抗，使其在多种条件下都能提供优秀的性能。DMN2005K-7 的主要应用包括电源管理、电机驱动、信号开关和其他功率转换应用，广泛使用于消费电子、通信和工业设备中。
二、关键特点
电压和电流特性
DMN2005K-7 的漏源电压（Vdss）为最高 20V，最大连续漏极电流（Id）可达 300mA。这使得该器件适合用于需要中等功率的应用场景，能够有效地满足一般电子产品的要求。导通电阻
该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）在 2.7V 的驱动电压下，最大值为 1.7Ω，且在 200mA 的电流条件下表现良好。这一低导通电阻特性有效减少了功率损耗，提升了能效，并降低了发热量，使其在高频率开关应用中尤为有效。输入电压特性
DMN2005K-7 的阈值电压（Vgs(th)）最大为 900mV，这表明在相对较低的电压下，该器件即可开始导通，便于与其他逻辑电平器件直接连接。此外，最大栅源电压（Vgs）值为 ±10V，能够兼容多种控制信号。功耗与热管理
器件的最大功率耗散为 350mW（在 25°C 环境下），在合理的散热设计下，能够在较宽的工作温度范围内稳定工作。其工作温度范围广泛，由 -65°C 至 +150°C 的设计，使 DMN2005K-7 在极端环境中依然表现可靠。封装设计
DMN2005K-7 采用 SOT-23-3 表面贴装封装，体积小巧，便于在紧凑型电路中使用。这种封装形式能够有效减少PCB面积，占用空间小，同时也方便进行自动化装配，提升了生产效率。
三、应用场合
DMN2005K-7 的强大特性使其可广泛应用于各类电子设备中，如下所示：
- 消费电子：如手机、平板电脑和便携式设备中，用于电源管理、电池开关等。
- 工业应用：用于电机驱动、继电器控制、信号转换等。
- 通信设备：在基站、路由器和其他网络设备中，作为开关和放大器使用。
- 汽车电子：在汽车的电源管理和控制系统中，提升整体性能和能效。
四、总结
DMN2005K-7 作为一款高效的 N 通道 MOSFET，凭借其适中的电压和电流特性、低导通电阻、宽工作温度范围以及紧凑的封装设计，成为了众多应用场合的理想选择。无论是在消费电子还是工业领域，该器件均能够提供可靠的性能和优秀的能效，满足现代电子设计的多样化需求。
其广泛的适用性与优越的性能特征，使得 DMN2005K-7 成为设计师和工程师在追求高效、节能和高可靠性的电子设计中不可或缺的元器件之一。