反向恢复时间(trr) | 75ns | 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 1.7V @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.4V @ 2A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 100ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 1000V | 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | DO-214AC(SMA) | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
US1M-TP 是一种快速恢复、高效率标准二极管,由知名电子元器件制造商 MCC (美微科) 生产。该二极管特别适合于高电压、高频率的电子应用,能够在严苛的环境下稳定工作。它具有很好的热性能,能够承受宽广的工作温度范围。
反向恢复时间 (trr): US1M-TP 的反向恢复时间最高可达到 75ns,这使其能在频繁切换的电流条件下表现出色。快速恢复特性确保二极管可以迅速回到反向状态,降低了开关损耗,非常适合开关电源和高频变换应用。
直流反向耐压 (Vr): 二极管的最大直流反向耐压达到 1kV,能够轻松应对高压电路的要求。此特性使其在工业设备和电源管理系统中非常受欢迎。
平均整流电流 (Io): US1M-TP 的平均整流电流为 1A,能够满足大多数应用的需求。在需要调节电流的电路设计中,这一参数提供了良好的灵活性。
正向压降 (Vf): 在 1A 的条件下,正向压降为 1.7V,较低的压降可以最大限度地减少能量损失,提升整体能效,这在热效应敏感的应用中尤为重要。
反向泄漏电流: 在最大直流反向耐压 (1kV) 下,反向泄漏电流仅为 10µA,极小的泄漏电流有助于提高电路的整体效率和稳定性,避免不必要的能量损耗。
电容特性: 在4V和1MHz下,二极管的输入电容仅为10pF。这一低电容特性使得二极管在高频操作时能够维持较好的信号完整性,适合用于高频信号处理和 RF 应用。
工作温度范围: US1M-TP的结温范围为 -65°C 至 175°C,这意味着该器件可以在极端的环境条件下继续安全运行,满足航空航天、汽车电子等领域的需求。
US1M-TP 采用DO-214AC(SMA)封装,适合表面贴装(SMD)设计。该封装不仅有助于节省空间,同时也提高了器件的散热性能,使其在高功率应用中表现更加稳定。小型化的特性使其非常适合在紧凑型电子设备中使用,这对于现代电子产品的设计至关重要。
凭借其卓越的性能,US1M-TP广泛应用于:
US1M-TP 是一款高效能的快速恢复二极管,凭借其高耐压、低正向压降和优良的热稳定性,成为各种电子器件和电源管理系统的优秀选择。其多功能性和高可靠性使其在现代电子设计中不可或缺,为不同的应用提供稳定的电流和电压支持。无论是在个人电子产品还是在工业自动化设备中,US1M-TP 都展示了其极高的价值和广泛的适用性。