封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 晶体管类型 | NPN |
电压-集射极击穿(最大值) | 480V | 集电极电流Ic(最大值) | 50mA |
电流放大倍数hFE(最小值) | 20@10mA,20V | 功率(最大值) | 200mW |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 480V |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 10mA,20V | 功率 - 最大值 | 200mW |
供应商器件封装 | SOT-23 |
APT17NTR-G1 是一个高性能的 NPN 型双极晶体管,广泛应用于各种电子电路中。其设计考虑到了高电压和高效率,使其适合用于要求较高电压和较低电流的应用场合。此产品采用 SOT-23 的表面贴装封装形式,结合其优良的电气特性,使其成为现代电子设备中非常理想的选择。
APT17NTR-G1 晶体管因其超高电压承受能力和适中的集电极电流而被广泛应用于以下几种场合:
APT17NTR-G1 晶体管具有以下几个显著优点,使其在各种应用中表现优异:
APT17NTR-G1 NPN 型晶体管是一款高性能的半导体器件,凭借其卓越的电气特性、宽广的应用场景以及显著的性能优势,广泛应用于电源管理、开关电路和放大器的设计中。随着现代电子产品对高电压和高稳定性的需求不断增长,APT17NTR-G1 将成为设计师和工程师的首选元件之一。
总之,APT17NTR-G1 以其可靠的性能和优秀的应用灵活性,必将在未来的电子产品开发中获得更多的关注和应用。