安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 19 毫欧 @ 8A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 415pF @ 20V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 40V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 2W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
产品名称: AO4882
类型: 双 N-通道 MOSFET
封装结构: SO-8
品牌: AOS
AO4882 是一款高效能的双 N-通道场效应管 (MOSFET),设计用于各种电源管理和开关应用。凭借其出色的电气特性,AO4882 能够在多种环境下提供高效能,确保系统的稳定性和可靠性。
导通电阻 (RDS(on)): 在 25°C 时,最大导通电阻为 19 毫欧,额定电流为 8A 和 Vgs 为 10V 时表现优异。低导通电阻的特性令其在开关一分钟时损失低,有助于减少发热,提高整体系统效率。
连续漏极电流 (Id): AO4882 可承受高达 8A 的连续漏极电流,使其在许多高电流驱动应用中表现良好,可以有效驱动负载而不出现过载问题。
漏源电压 (Vdss): 该器件具有最高 40V 的漏源承受能力,使其适合于常见的低压电源和驱动系统中。过流过压能力的结合确保了器件的安全性和长久性。
工作温度范围: AO4882 具有宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C。此特性使其适合高温、低温等极端环境,适合用于汽车、工业控制等要求高可靠性的场合。
输入电容 (Ciss): 在 20V 的条件下,输入电容最大值为 415pF。较低的输入电容意味着在驱动和开关时可能的延迟较短,提高了响应速度。
栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 10V 时,栅极电荷最大值为 12nC。这意味着在开关过程中,低的栅极电荷有助于降低驱动功耗,提高整体的效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): AO4882 具有最大阈值电压为 2.4V(@ 250µA),能在较低的栅极电压下可靠导通,便于逻辑电平的驱动控制。
AO4882 的设计使其广泛适用于各类电子设备,特别是在以下应用中表现突出:
DC-DC 转换器: 在电源管理和电能传输的过程中,AO4882 的低导通电阻和高效能使其成为理想选择,能够实现高转换效率,在功率转换时减少能量损失。
电机驱动: 适用于各种电机控制系统,AO4882 可以用作开关元件,在控制电机启停和调速方面提供高处理能力和高稳定性。
负载开关: 能够快速有效地连接和断开负载,AO4882 可应用于智能家居、工业设备等多种场合,实现高效的负载管理。
汽车电子: 由于其良好的高温耐受能力和高可靠性,AO4882 可用于汽车的电源切换和电机驱动,确保电子系统的稳定运行。
AO4882 是一款技术先进、性能卓越的双 N-通道 MOSFET,适用于多种应用场景。凭借其低导通电阻、优秀的热性能和广泛的工作温度范围,AO4882 为设计师和工程师在创建高效、可靠的电子设备时提供了理想解决方案。无论是在电源管理、电机驱动还是负载开关应用中,AO4882 都能够显著提升系统的性能,降低能耗,确保设备的长期稳定运行。