SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3 产品概述

基本信息

SIR626DP-T1-RE3 是一款由 VISHAY（威世）制造的高性能 N 通道 MOSFET，专为高效能电源管理和开关应用而设计。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，具有优良的热管理特性，适合于表面贴装应用。其关键电气参数包括最大漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流（Id）可达 100A（在适当的散热条件下），以及最大功率耗散能力可达到 104W。

电气特性

SIR626DP-T1-RE3 的一个显著特点是其低导通电阻（Rds(on)），在 Vgs 为 10V 时，当漏极电流 Id 为 20A 时，Rds(on) 的最大值仅为 1.7 毫欧。这使得该 MOSFET 能够在高电流下运行而产生较低的热耗损，提高系统整体的效率。此外，Vgs(th) 最大值为 3.4V，表明该器件能够在相对较低的栅压下便开始导通，从而实现更高的开关速度和更好的驱动效率。

输入电容 Ciss 在 30V 时最大值为 5130pF，配合 78nC 的栅极电荷（Qg），使得 SIR626DP-T1-RE3 适合高频率开关应用。这些特性使其可以有效地减少开关损耗，尤其在开关频率较高的应用中，能够显著提升电路的整体性能。

工作条件及温度范围

SIR626DP-T1-RE3 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适应性强。无论是在极端低温，还是高温环境中，该器件均能保持良好的性能和可靠性。此外，最大 Vgs 为 ±20V，允许设计人员在不同的电路配置中灵活使用，兼容性强。

应用场景

SIR626DP-T1-RE3 适合多种应用场景，包括但不限于电源转换器、马达驱动、LED 驱动以及其他要求高效开关和电流管理的系统。特别是在续航时间至关重要的电池供电设备或电动汽车中，该 MOSFET 能够高效控制大功率电流，并提升系统的能源利用效率。

竞争优势

作为一款功能强大的 N 通道 MOSFET，SIR626DP-T1-RE3 具有诸多竞争优势。首先，其低导通电阻和高电流输出能力使其在高效能应用中表现卓越。其次，优良的散热性能和宽广的工作温度范围增强了其在各种环境下的适用性。此外，VISHAY 品牌所提供的工程支持和产品可靠性更为设计人员提供了信心保障。

结论

纯粹从性能和适用性来看，SIR626DP-T1-RE3 是一款非常有前景的 N 通道 MOSFET。其优越的电气特性和广泛的应用领域使其成为现代电子设计中一个不可或缺的元件。无论是用于电源管理，还是驱动高功率负载，该器件都能够很好地满足各类需求，为用户提供高效、可靠的解决方案。