FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 35 毫欧 @ 12.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 52nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1710pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 100W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
STD25NF10LT4 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)制造,专为各种电子电路设计而优化。其具有杰出的电流承受能力和低导通电阻,是电源开关、DC-DC变换器和马达驱动等应用的理想选择。采用 DPAK 封装,便于表面贴装,为空间受限的PCB设计提供了灵活性。
STD25NF10LT4 采用 TO-252-3 (DPAK) 封装,其小型化设计适合自动化表面贴装,能够提高PCB的集成度。DPAK封装还具有良好的散热能力,使得设备在高功率和高频率操作时能够保持稳定。
此款MOSFET广泛应用于多种领域,如:
STD25NF10LT4 的设计提供了诸多优势:
STD25NF10LT4 作为一款高性能 N 通道 MOSFET,凭借其优良的电气特性和热管理能力,成为电子行业中多种应用的重要组件。无论是在电源管理还是马达控制领域,该器件都能以卓越的性能和可靠性来满足现代电子产品日益增长的需求,为设计工程师提供了可靠的解决方案,优化整体产品的性能与能效。