极性 | Unidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 2.5A |
箝位电压 | 13V | 击穿电压(最小值) | 6.46V |
反向关断电压(典型值) | 5V | 类型 | 齐纳 |
单向通道 | 4 | 电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 6.46V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 13V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 2.5A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 30W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 16pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-665 |
供应商器件封装 | SOT-665 |
PESD5V0L4UW,115 是一款由知名电子元器件制造商 Nexperia(安世)推出的高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用SOT-665表面贴装封装,专为电路中的过压保护设计。该器件适用于各种电子设备,特别是在需要保护敏感电路免受瞬态电压浪涌(例如静电放电(ESD)、雷击或其他电磁干扰)影响的应用场景中,从而确保设备的稳定性和可靠性。
极性与工作电压: PESD5V0L4UW,115 具有单向极性(Unidirectional),即该器件仅在一个方向上导电。这一特性使其适合于保护单方向信号线的应用。其反向断态电压(VR)典型值为5V,设计用于与5V电源电路兼容。
击穿及箝位电压: 该器件的最小击穿电压(VBR)为6.46V,当电压超过该值时,设备开始导通,有效地将多余的电压引导至地线,避免后续电路受到损害。同时,PESD5V0L4UW,115 的箝位电压(Vc)达到13V,在面对瞬态过压时可以迅速反应,确保上游电路在瞬态事件中的安全。
脉冲电流能力: 该TVS二极管具有出色的脉冲电流处理能力,最高可以承受峰值脉冲电流(Ipp)2.5A(在10/1000μs的脉冲宽度条件下)。这意味着在面对短时但高强度的电压尖峰时,PESD5V0L4UW,115能够提供有效的保护,而不会因过载而失败。
频率特性: PESD5V0L4UW,115 的典型电容值为16pF @ 1MHz,具有很低的输入电容,这对于数据传输的应用至关重要。当设备连接在高速数据线时,低电容能够有效降低信号的失真,从而确保信号的完整性。
工作温度范围: 此器件的工作温度范围宽广,从 -65°C 到 150°C,可应用于各种极端环境下,适合汽车、工业和消费类电子产品等多个领域。
制造与封装: PESD5V0L4UW,115 使用 SOT-665 封装,适合表面贴装技术(SMT),便于自动化组装,实现体积小巧、高效的电路布局。
PESD5V0L4UW,115 广泛应用于以下几类场景:
总的来说,PESD5V0L4UW,115 是一款高可靠性、高性能的瞬态电压抑制二极管,非常适合在需要对敏感电子组件进行过压保护的场合。其设计中的高脉冲电流处理能力、适应宽温范围以及紧凑的SOT-665封装,使其成为电子产品中不可或缺的保护组件。无论是在通信、工业还是消费领域,该器件都显示出优越的性能,是开发人员和设计工程师的理想选择。