RU1C001UNTCL
RU1C001UNTCL参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 3.5Ω @ 100mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7.1pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | UMT3F |
| 封装/外壳 | SC-85 |
RU1C001UNTCL手册
RU1C001UNTCL概述
RU1C001UNTCL 产品概述
RU1C001UNTCL是一款由罗姆（ROHM）生产的N沟道MOSFET，专为高效电源管理与低功耗应用而设计。这种MOSFET不仅符合现代电子产品对节能和高效率的需求，还适用于各种小型电子设备。其优异的规格和性能表现，使其成为广泛应用于开关电源、电机驱动和信号处理等领域的一种理想选择。
基础参数及特点
漏源电压（Vdss）: RU1C001UNTCL的漏源电压为20V，适合用于要求较低电压的应用。它能够有效支持各种电源电路，尤其在便携式设备和消费电子产品中的表现尤为突出。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境下，该器件可支持高达100mA的连续漏极电流。这一数值确保了其在多种电流条件下的稳定表现，满足了小功率设备的需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: RU1C001UNTCL的栅源极阈值电压为1V @ 100µA，这一较低的阈值电压使得该MOSFET能够在低电压下启动，优化了其开关性能，特别是在低功耗电路中表现出色。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V时，漏源导通电阻为3.5Ω @ 100mA，能够确保在导通状态下的低功耗损失。这一点对于提升整机效率、降低热量产生至关重要。
功率耗散: RU1C001UNTCL的最大功率耗散为150mW（Ta = 25°C），设计上具备良好的散热性能，适合在空间受限的环境中使用而不会过热。
工作温度: 该产品的工作温度范围广泛，最高可达150°C (TJ)，确保了在高温环境下的稳定性与可靠性。
封装与安装
RU1C001UNTCL采用UMT3F（SC-85）封装，属于表面贴装型，具有占用空间小、便于自动化装配的特点。紧凑的设计使其非常适合现代电子设备的设计需求，尤其是在要求轻薄小型的消费电子产品中。
应用场景
RU1C001UNTCL MOSFET的高度集成和高效率，特别适合以下应用：
- 开关电源: 用于转换器、适配器等电源模块，实现高效电流开关。
- 驱动电路: 在电机控制和LED驱动应用中，利用其优异的电气特性控制电源的开关。
- 信号处理: 在模拟信号开关和数字电路中，RU1C001UNTCL提供了精准的控制特性，便于信号的传输和处理。
- 便携式设备: 由于其低功耗和小尺寸，极适合智能手机、平板电脑和手持设备等。
总结
RU1C001UNTCL N沟道MOSFET以其超低的导通电阻、高达150mW的功率耗散能力及广泛的工作温度范围，在电源管理、信号处理及低功耗应用中展现出卓越的性能。作为表面贴装封装的设备，它不仅有助于节省空间，还能提高生产效率。罗姆的质量保证和该器件的可靠性，使其成为设计工程师和开发者在选择MOSFET时的一个理想之选。无论是在消费电子领域，还是在工业控制系统中，RU1C001UNTCL都能提供极高的性能与稳定性，满足未来电子产品的多样化需求。