DMP3017SFG-7
DMP3017SFG-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11.5A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 10mΩ @ 11.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 940mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 11.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2246pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 940mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP3017SFG-7手册
DMP3017SFG-7概述
DMP3017SFG-7 产品概述
产品概述 DMP3017SFG-7是一款高性能的P沟道MOSFET，其具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。该器件主要用于电源管理、电机驱动和开关电源等电路中，以提供高效的电流控制和开关功能。DMP3017SFG-7的设计使其在工作温度范围内能够稳定运行，能够满足各类电子设备的需求，适用于汽车、工业控制、电信和消费电子等领域。
关键技术参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 11.5A（在25°C下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 10mΩ @ 11.5A, 10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 940mW
DMP3017SFG-7的漏源电压为30V，使其适用于中低压应用场景，而其连续漏极电流达到11.5A，则能有效驱动各类负载。其出色的漏源导通电阻（为10毫欧）意味着在全开状态下能够实现最低的功耗，进而提高电路的能效。
工作温度范围 此款MOSFET具有宽广的工作温度范围，最低可达到-55°C，最高可承受150°C。这使之能够在严苛环境下运作，包括高温、低温和高湿度的条件。其优异的热稳定性确保了在各种现代电子产品中，都可以安全可靠地使用。
驱动特性 DMP3017SFG-7的驱动电压支持4.5V到10V，意味着在多种电流着火条件下均可实现理想的导通性能。这为工程师在设计电源电路或其他需要开关的应用中提供了更大的灵活性。
封装 该MOSFET采用 PowerDI3333-8 封装，这是一种表面贴装型封装，兼顾了小巧尺寸及高散热性能，便于自动化焊接及后续的电路组装。同时，小型封装设计有助于节省电路板空间，这对现代电子设备的紧凑设计极为重要。
应用场景 DMP3017SFG-7适用于多种应用领域，包括：
- 电源管理：用于开关电源转换器和DC-DC转换器中，实现高效的电源转换。
- 电机驱动：在电动汽车和工业自动化设备中，控制电机的启停和变速。
- 负载开关：可用于家电、计算机和通信设备中，控制高电流负载的开关。
总结 DMP3017SFG-7是一款具有显著电气性能的P沟道MOSFET，其高电流处理能力和低导通电阻特点，使其非常适合电源转换及开关控制应用。优异的工作温度范围和现代化的封装设计也使得其在多种工况下均能表现卓越。借助其广泛的适用性与高效能，DMP3017SFG-7 可以助力设计工程师在构建高效能电子产品时实现更高的设计灵活性和电路可靠性。