安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 39 @ 50mA,5V |
DTD123EKT146 是一款由日本著名电子元器件制造商 ROHM(罗姆)生产的高性能数字晶体管。该器件属于 NPN 型预偏置晶体管,专为表面贴装应用设计。它整合了一系列提升电路性能的特性,广泛应用于开关电源、信号放大、开关控制及脉冲信号处理等领域,为现代电子设备的设计和集成提供了卓越的解决方案。
1. 安装类型: 表面贴装型(SMD)
DTD123EKT146 的设计使其非常适合高效的自动化生产流程,提升了安装的精准度并缩短了生产周期。
2. 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA
该器件的最大集电极电流为 500mA,使得它能在多种负载条件下可靠工作,非常适合驱动中低功耗的负载。
3. 电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
相较于其他竞争产品,DTD123EKT146 的集电极截止电流非常低,这意味着在关闭状态时,其对电源的消耗极小,从而有助于降低系统的整体功耗。
4. 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
其能够承受的最大集射极击穿电压为 50V,有效提高了设计的灵活性,使得在较高电压条件下仍具备良好的工作稳定性。
5. Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 2.5mA,50mA
该参数表明了在特定的输入电流条件下,集-发压降的性能,较低的饱和压降使得该晶体管在导通状态下具有更高的能效。
6. DC 电流增益 (hFE)(最小值): 39 @ 50mA,5V
DTD123EKT146 的电流增益表现优异,随着集电极电流的增加,增益能保持相对稳定,满足设计者对信号放大和开关性能的需求。
7. 频率 - 跃迁: 200MHz
高速跃迁性能使其能够处理高频信号,适用于大多数现代数字电路和射频应用。
DTD123EKT146 适用于以下应用领域:
总体而言,DTD123EKT146 是一款技术先进、特性稳定且应用广泛的NPN数字晶体管。凭借其卓越的电气性能和出色的可靠性,能够在多种电子应用中发挥重要作用。对于需要高效能和高稳定性的设计项目,DDL123EKT146 是一个理想的选择。无论是在消费电子、工业自动化,还是在通信设备中,它都能够提供优越的解决方案,帮助设计师和工程师实现他们的设计目标。