电容 | 10µF | 容差 | ±10% |
电压 - 额定 | 6.3V | 温度系数 | X5R |
工作温度 | -55°C ~ 85°C | 应用 | 通用 |
安装类型 | 表面贴装,MLCC | 封装/外壳 | 0805(2012 公制) |
大小 / 尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) | 厚度(最大值) | 0.053"(1.35mm) |
产品名称: CL21A106KQFNNNE
品牌: SAMSUNG(三星)
类型: 表面贴装多层陶瓷电容器 (MLCC)
封装: 0805(2012 公制)
CL21A106KQFNNNE是一款高性能的表面贴装多层陶瓷电容器,被广泛应用于各种电子设备中,尤其是在对空间和性能要求较高的应用场景。在其封装0805的尺寸中,该电容器的小巧设计使其非常适合在紧凑型电路中使用。
该产品的电容值为10µF,允许的容差为±10%,这保证了其在各种工作条件下能够保持良好的稳定性和可靠性。其额定电压为6.3V,适用于许多低压应用,确保在正常工作条件下不易打破。
CL21A106KQFNNNE采用X5R的温度系数,这意味着它的电容值在-55°C至85°C的温度范围内能够保持相对稳定。这种特性使其极具适应性,适合在各种环境中工作,尤其是在极端温度条件下。这种性能使得该电容器广泛应用于汽车电子、工业设备以及消费电子等领域。
该电容器在多个应用领域中展现了卓越的性能,特别是在以下几种应用中效果显著:
去耦电容: 在电源电路中,CL21A106KQFNNNE能有效过滤高频噪声,为敏感器件提供干净的电源供应。
滤波电容: 在音频设备和射频应用中,用作滤波电容,以减少电磁干扰,提高信号质量。
储能电容: 该电容器也可以用于一些储能应用,如储能电路中,因其高频特性能够提高能量效率。
信号耦合: 在信号处理电路中,能够有效地传输AC信号,同时阻挡DC成分。
作为一种表面贴装的电容器,CL21A106KQFNNNE兼容现代自动化焊接技术,便于集成到各类电路板中。其0805的封装尺寸,适合大部分PCB设计,能够实现高密度布局。无论是手工焊接还是机器自动化生产,这款电容器都表现出了良好的兼容性和适应性。
CL21A106KQFNNNE由SAMSUNG(三星)生产,结合了紧凑的设计、高性能和广泛的应用领域,使其成为电子产品设计中一个理想的选择。无论是一般电子设备、通信装置,还是汽车电子,CL21A106KQFNNNE都能提供可靠的电气性能和长久的使用寿命。
在选择电容器时,考虑到其优异的温度特性、低容差和高频性能,CL21A106KQFNNNE无疑是众多设计师和工程师的首选产品之一。