FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A(Ta),50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.7 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 35µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 67nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5100pF @ 30V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),69W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-5 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产品名称:BSC067N06LS3GATMA1
品牌:Infineon(英飞凌)
类型:N通道MOSFET
封装:PG-TDSON-8
BSC067N06LS3GATMA1是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),专为高效率功率转换和驱动应用设计。它的漏源电压(Vdss)为60V,能够承受较高的电压,在许多工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。该MOSFET的设计旨在优化电流传输效率,并降低在高负载条件下的功耗。
雷达特性:
BSC067N06LS3GATMA1的功率耗散能力显示出其广泛的操作范围。在环境温度为25°C下,最大功率耗散为2.5W,而在结温(Tc)方面最大功率耗散可达到69W。这一特性使其在散热管理得当的应用中表现出卓越的能力。
工作温度范围为-55°C至150°C(TJ),适合各种极端环境条件下的使用,提供了广泛的应用场景,包括汽车、工业控制、及消费电子等领域。
由于其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,BSC067N06LS3GATMA1适合于多个应用场景:
BSC067N06LS3GATMA1是一款高效能和可靠性的N通道MOSFET,凭借其卓越的电气性能、宽广的温度范围和出色的功率散热能力,适用于多种工业和消费类产品的开关和驱动应用。作为英飞凌品牌的重要产品线之一,它的高性能特性使其在现代电子设计中广泛应用,并成为设计工程师们首选的器件之一。