AO4812 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4812

商品编码: BM0000000238
品牌 : 
AOS
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.14g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 6A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.27
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.27
--
200+
¥0.972
--
1500+
¥0.845
--
3000+
¥0.735
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4812参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 6A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6AFET 类型2 N-通道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)310pF @ 15V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)6.3nC @ 10V漏源电压(Vdss)30V
FET 功能标准功率 - 最大值2W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA

AO4812手册

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无数据

AO4812概述

产品概述:AO4812 MOSFET

AO4812是一款高性能的N通道场效应管(MOSFET),采用表面贴装型(SMD)设计,封装类型为SO-8。这款MOSFET具备出色的电气性能和广泛的应用潜力,特别适用于高效能开关电路、功率转换和电源管理等领域。以下是关于AO4812的详细介绍。

基本参数

AO4812的导通电阻在不同的栅极源极电压(Vgs)和漏极电流(Id)条件下表现出色。其最大导通电阻为30毫欧,当漏电流为6A,Vgs为10V时,确保在高电流工作条件下的低功耗和高效能。此外,在25°C下,AO4812的连续漏极电流(Id)可达6A,适合用于各种中高功率应用场合。

该MOSFET的漏源电压(Vdss)为30V,使其能够在较高电压下安全工作,具有良好的耐压能力。这一特性使得AO4812能够在多种电气环境中可靠发力,尤其是在需要电压保护和负载切换的场合。

输入和栅极特性

AO4812的输入电容(Ciss)在不同漏源电压(Vds)下最大值为310pF @ 15V,较低的输入电容有助于提高开关速度和降低功耗。这对于高频率的开关应用尤为重要,有助于提升系统整体性能。

此外,AO4812的栅极电荷(Qg)最大值为6.3nC @ 10V。这一特性表明在开关过程中,所需的栅极驱动电荷相对较低,使得驱动电路的设计更加简便,提升了系统的能效。

工作范围和环境适应性

AO4812的工作温度范围从-55°C到150°C,能够在严苛环境下稳定工作。这一广泛的温度适应性使得AO4812可广泛应用于汽车、工业和消费类电子设备等各种应用场合,确保了产品在不同环境下的可靠性和稳定性。

应用领域

由于其优越的电气特性和工作温度范围,AO4812主要应用于以下几个领域:

  1. 开关电源:在DC-DC转换器和其他开关电源设计中,AO4812能够作为高效开关元器件,有助于提升转换效率,降低能量损耗。

  2. 电机驱动:在电动机控制与驱动系统中,AO4812可用于改变电动机的运行状态,发挥出高效的电流控制特性。

  3. 汽车电子:AO4812的高温性能适合汽车应用,如电源管理模块(如车载充电器、高效功率转换模块等),能够满足行业标准和安全要求。

  4. 消费类电子:在各种消费类电子产品中,AO4812可发挥重要作用,如电源适配器、移动设备的充电电路、LED驱动等。

结论

AO4812是一款具备高性能的N通道MOSFET,其低导通电阻、较高的电流承载能力和宽广的工作温度范围使其广泛应用于开关电源、电机驱动和汽车电子等多个领域。其优越的电气性能和简单的驱动要求,使得AO4812成为工程师在开发高效能电子设备时的优选器件。无论是设计新的电源系统还是升级现有产品,AO4812都能为您带来卓越的性能提升和设计灵活性。