AOD2810 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD2810

商品编码: BM0000000236
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.365g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;100W 80V 10.5A;46A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
477(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
3.28
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.28
--
100+
¥2.52
--
1250+
¥2.19
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD2810参数

漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)(25°C 时)46A(Tc)
栅源极阈值电压3.4V @ 250uA漏源导通电阻8.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)100W(Tc)类型N沟道

AOD2810手册

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AOD2810概述

AOD2810 产品概述

AOD2810 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由 AOS(Alpha & Omega Semiconductor)公司生产。这款 MOSFET 设计用于多种应用场景,特别适用于功率管理、电源转换、电机驱动、开关电源以及自动化设备中。其卓越的电气特性和可靠性使其在现代电子设计中广受欢迎。

基础参数

漏源电压(Vdss):AOD2810 的漏源电压达到 80V,这意味着它能够承受高达 80V 的阻断电压,适用于大部分高压应用。

连续漏极电流(Id):在 25°C 环境下,连续漏极电流可高达 46A(以 Tc 为标准),允许在持续工作条件下提供强大的驱动能力。此外,AOD2810 在 10V 驱动电压下,漏源导通电阻低至 8.5mΩ @ 20A,使得功耗极低,效率高。

栅源极阈值电压:AOD2810 的栅源极阈值电压为 3.4V @ 250μA,确保在较低的栅电压下就能够有效开启,方便与大多数控制逻辑相连接。

最大功率耗散:本产品在环境温度 25°C 时的最大功率耗散可达到 100W,表明它能够在高温条件下稳定工作,提供可靠的性能。

封装与尺寸

AOD2810 使用 TO-252 封装,这是一种流行的表面贴装封装。TO-252 封装提供良好的散热性能,帮助在高负载条件下保持组件的温度低于最大工作限制。该封装的尺寸适合于空间限制较严的应用,便于集成于各种电路板中。

应用场合

AOD2810 适用于多种应用,包括但不限于:

  1. 电源转换器:在降压转换器、升压转换器和反激式电源中作为开关元件,有助于提高能效和降低电磁兼容性(EMC)问题。

  2. 电动机驱动:可广泛应用于 DC 电动机驱动电路及步进电机驱动电路中,通过提供低导通电阻,显著提高驱动效率。

  3. 开关电源:在开关电源中用作主开关,可以有效管理输入电压和负载,保障系统稳定运行。

  4. 高频开关:由于其低导通电阻和较高的工作频率,AOD2810 能够满足高频开关的需求,适合用于高频高效的开关电源设计。

  5. 电池管理与充电器:在电池管理系统和智能手机充电器中,可以作为开关控制,以提高充电效率和安全性。

性能优势

  • 高效率:得益于低导通电阻,AOD2810 可在高电流条件下保持较低的功耗,提升整体系统的效率。

  • 热性能优越:其较高的功率耗散能力,使得在高负载情况下能够保持良好的温度稳定性,增加了设计的灵活性。

  • 可靠性:AOS 产品以其性能稳定和长寿命著称,AOD2810 的高额定值确保在恶劣工作条件下也能正常工作,增加了终端产品的可靠性。

  • 设计灵活性:由于其利于低电压驱动的特性,AOD2810 使工程师能够在电路设计中有更多的灵活性,降低了对驱动电路的复杂度。

总之,AOD2810 是一种结合了高压、高电流承载能力及低导通电阻等优点的 N 沟道 MOSFET,适合于各种高效能电子应用场合。其灵活的设计和高可靠性使其成为现代电子设备中不可或缺的组件,对于提升系统性能、降低能耗至关重要。