RFU02VSM8STR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

RFU02VSM8STR

商品编码: BM0000000230
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TUMD2SM
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
快恢复/高效率二极管 独立式 2.2V@200mA 800V 200mA TUMD2SM
库存 :
3029(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.494
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.494
--
200+
¥0.319
--
1500+
¥0.277
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

RFU02VSM8STR参数

安装类型表面贴装型不同 Vr、F 时电容4pF @ 0V,1MHz
二极管类型标准速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 平均整流 (Io)200mA不同 If 时电压 - 正向 (Vf)3V @ 200mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)800V工作温度 - 结150°C(最大)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10µA @ 800V反向恢复时间 (trr)25ns

RFU02VSM8STR手册

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RFU02VSM8STR概述

RFU02VSM8STR 产品概述

RFU02VSM8STR 是一款由ROHM(罗姆)公司生产的高性能快恢复二极管,专为满足高频率和高效率应用场合设计。该产品采用表面贴装型封装,封装类型为TUMD2SM,极大地促进了其在现代电子设备中集成以及散热性能。因此,RFU02VSM8STR 在消费电子、工业设备以及通信设备等多个领域得到了广泛的应用。

基本参数

RFU02VSM8STR 的几个关键参数使其在要求严格的工作环境下能够稳定运行。其反向电压(Vr)最大值可达到800V,能够在高电压应用中提供卓越的可靠性和稳定性。同时,在200mA的正向电流下,其正向电压(Vf)为3V,展示了较低的导通损耗,能够提高设备的整体效率。

在小信号应用中,RFU02VSM8STR 具有高达200mA的平均整流电流(Io)能力,并且其反向恢复时间(trr)为25ns,这使其在快速开关场合表现出色。反向电流的泄漏特性也非常优秀,在800V下,反向泄漏电流仅为10µA,有效地保证了其在高压环境中的稳定性和可靠性。

性能特征

RFU02VSM8STR 的运行温度范围最高可达到150°C,适合于在极限条件下工作,使其广泛适用于各种工业化设备。此外,RFU02VSM8STR 采用了快恢复设计,可以在更快的开关频率下工作,减少电能损耗,从而提高能效。在多数应用中,减少热量生成对于提升系统的可靠性和延长元件的使用寿命至关重要。

应用场景

RFU02VSM8STR 特别适合用于开关电源、逆变器、电机驱动、LED驱动等需要高频和高效率整流的电路设计。它的高性能特性使得用户能够设计出更小、更高效的产品,而不牺牲稳定性和可靠性。此外,该器件也可以在高压脉冲应用中提供保护,确保系统的安全运行。

总结

总结来说,RFU02VSM8STR 是一款高效率的快恢复二极管,采用ROHM的先进工艺技术制造而成。它不仅提供了卓越的电压承受能力、优良的反向恢复特性,还通过低正向压降优化了能耗,非常适合高频、高效能的电源设计和整流应用。无论是在消费电子、工业自动化,还是在新能源和通信领域,RFU02VSM8STR 都能够为用户提供高效、可靠的解决方案。选择RFU02VSM8STR,将有助于您的设计在效率和性能方面都达到新的高度。