STF10N60M2
STF10N60M2参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 600mΩ @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF10N60M2手册
STF10N60M2概述
STF10N60M2 产品概述
STF10N60M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高电压应用而设计，具备高漏源电压、较低的导通电阻和优异的散热性能，适用于各种高功率电源和开关应用。
基本参数
漏源电压（Vdss）: 600V
该参数表明 STF10N60M2 能承受最高 600V 的漏源电压，使其在高电压工作环境中表现优异。连续漏极电流（Id）: 7.5A (在 25°C 时标定，Tc)
产品在正常工作条件下能够承受的电流为 7.5A，适合需要高电流标准的应用场合。栅源极阈值电压: 4V @ 250µA
液态中的电压阈值为 4V，意味着它能够在低驱动电压下有效开启。漏源导通电阻（Rds(on)）: 600mΩ @ 4A, 10V
标明在给定条件下的导通电阻小于 600 毫欧，确保在使用时能降低功率损失，提高效率。最大功率耗散: 25W (在 Ta=25°C, Tc)
最高可承受 25W 的功率损耗，使其具备良好的散热性能，适合高功率应用与连续工作的电源模块。工作温度范围: -55°C ～ 150°C (TJ)
该器件在极端温度下仍能可靠工作，扩展了其应用场合。封装: TO-220-3
采用 TO-220 封装形式，便于散热以及在电路中的安装。
应用场景
STF10N60M2 的应用范围广泛，主要包括：
- 开关电源: 由于其高电压和高电流特性，该MOSFET适用于开关电源设计中，以提高电流转换效率。
- 电机驱动: 适合用于电机驱动器，例如无刷直流电机或步进电机驱动电路。
- 逆变器: 在太阳能逆变器及其他能源转换设备中起到关键作用。
- 高频开关: 其优秀的开关特性使得它能用于高频开关应用，例如电源适配器和照明控制系统。
性能优点
低导通电阻: 通过减少导通电阻，STF10N60M2 在运行时能显著降低功率损耗，从而提高整体效率。
高电压容忍度: 能够适用于较高电压的工业应用，减少耐压问题，增强系统稳定性。
良好的散热能力: 由于额定的功率指标及TO-220封装，有助于提高散热能力，延长器件和系统的使用寿命。
高温工作能力: 其温度范围适应大多数恶劣环境条件，保证在各种环境下可靠工作。
小结
STF10N60M2 是一款强大的 N 沟道 MOSFET，凭借其高压、高流的特点以及良好的散热性能，成为现代电源管理和功率转换应用中不可或缺的元件。无论是工业电源、LED 驱动器还是电机控制，STF10N60M2 都能凭借优异的电气特性和稳定的性能满足高性能需求，是设计工程师的理想选择。