SCT2H12NZGC11
品牌 :
ROHM(罗姆)
封装 :
TO-3PFM
包装 :
管装
重量 :
8.125g
描述 :
场效应管(MOSFET) 35W 1.7kV 3.7A 1个N沟道 TO-3PF-3
库存 :
2402(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
18.27按整 :
管(1管有450个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥18.27
--
10+
￥15.75
--
9000+
产品参数
产品手册
产品概述
SCT2H12NZGC11参数
| 漏源电压（Vdss） | 1700V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.7A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 900uA | 漏源导通电阻 | 1.5Ω @ 1.1A,18V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.1A，18V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 900µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 18V | Vgs（最大值） | +22V，-6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 184pF @ 800V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3PFM | 封装/外壳 | TO-3PFM，SC-93-3 |
SCT2H12NZGC11手册
SCT2H12NZGC11概述
SCT2H12NZGC11 产品概述
产品型号：SCT2H12NZGC11
品牌：ROHM（罗姆）
封装类型：TO-3PFM
技术：碳化硅（SiCFET）
类别：N通道场效应管（MOSFET）
概述
SCT2H12NZGC11是一款高性能的N通道场效应管，设计用于高电压和高温环境下的功率转换和控制应用。其核心技术基于碳化硅（SiC），与传统硅材料相比，SiC提供了更高的工作电压、更快的开关速度以及更高的热导性，使其在高频和高温的应用场景中表现出色。
关键技术参数
- 漏源电压（Vdss）: 1700V
- 连续漏极电流（Id）: 3.7A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 900µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.5Ω @ 1.1A, 18V
- 最大功率耗散（Pmax）: 35W（在Tc=25°C条件下）
- 工作温度范围: 可达175°C（TJ）
- 驱动电压（Vgs）: +22V, -6V（允许的最大驱动电压范围）
- 输入电容（Ciss）: 184pF @ 800V
- 栅极电荷（Qg）: 14nC @ 18V
应用领域
SCT2H12NZGC11MOSFET因其高耐压、高电流承载能力和高温稳定性，广泛应用于以下领域：
- 电源转换器：适用于开关电源和逆变器，能够有效提高转换效率，降低系统的散热负担。
- 电动车辆和电动交通工具：在电力驱动系统中使用，能够满足高电压和高功率的需求。
- 工业驱动应用：在马达控制和自动化设备中实现高效能的电力控制。
- 太阳能逆变器: 其高耐压特性使其适合用于光伏系统中的逆变器设计。
性能优势
- 高电压承受能力：1700V的漏源电压使得SCT2H12NZGC11在需要高电压生的应用中表现优异，保障了系统的安全性和稳定性。
- 低导通损耗：1.5Ω的漏源导通电阻在相应电流下的表现显示出其在高频切换条件下的优越性能，有助于降低整体能耗。
- 宽工作温度范围：其高达175°C的工作温度使其在恶劣环境下仍能可靠工作，尤其适合于需要高温操作的工业系统。
- 快速开关速度：由碳化硅材料带来的高电子迁移率使得此产品能够支持快速切换，提高了整体系统的响应速度及效率。
封装与安装
SCT2H12NZGC11采用TO-3PFM封装，具有较好的散热性能和可靠性。其通孔安装方式方便了在各种电路板设计中的应用，促进了元器件的易用性和装置的紧凑性。
总结
作为ROHM推出的高级N通道MOSFET，SCT2H12NZGC11结合了碳化硅技术的诸多优势，将高电压、高电流和高温稳定性融为一体，适合用于要求苛刻的电源管理和功率抑制应用。无论是在工业电源，电动汽车，还是可再生能源系统中，此产品都能为设计人员提供可靠的解决方案，并为最终用户带来优秀的性能和效益。