额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 65V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 220 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BC856B,215 是由Nexperia(安世半导体)生产的一款高性能PNP型双极性晶体管,主要用于信号放大和开关应用。该晶体管以其优良的电气特性和可靠的工作性能,尤其适合于低功率应用,广泛应用于通信设备、音频放大器、开关电源和其他电子电路中。
BC856B的关键电气参数包括:
BC856B采用SOT-23-3的表面贴装封装,具有小体积和轻量化的特点,便于集成和布局。其紧凑的尺寸使其适合于各种有限空间的电子电路设计。
BC856B的多种特性使其在许多电子产品中都能找到应用,尤其是在需要低功耗和低噪声特性的情况下。其主要应用包括:
BC856B 的额定功率为250mW,相对较低,适合于小电流电路。这种晶体管的工作电流可达到100mA,集电极击穿电压为65V,使其在各种常见的电压下工作稳定。饱和压降最大650mV在设计中考虑时可以减少功耗,提高电路的总体效率。
直流电流增益(hFE)的最小值为220,这意味着在小信号条件下,基极电流的微小变化将会引起较大集电极电流变化,适合于高增益应用。频率响应的一项重要特性是其跃迁频率达到100MHz,这使得BC856B能够处理高速信号,适用于射频和数字电路的应用。
BC856B 的工作温度范围可达150°C,这使得它在高温环境下仍能可靠工作,适合工业和汽车等领域的应用。此外,晶体管的低集电极截止电流(15nA)表示其具有良好的密封性,能有效避免漏电,有助于提高整体电路的稳定性与长寿命。
BC856B,215 是一款功能强大、特性优越的PNP型双极性晶体管,非常适合在需要高增益、低功耗、高温稳定性的应用场合中使用。由于其广泛的应用潜力和卓越的电气性能,使其成为许多设计工程师的优选组件。选择BC856B可以为您的电子产品提供可靠的性能支持,保证产品在复杂环境中的正常工作。