PSMN1R8-40YLC,115
PSMN1R8-40YLC,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A |
| 栅源极阈值电压 | 1.95V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 1.8mΩ @ 25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 272W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 96nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6680pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 272W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN1R8-40YLC,115手册
PSMN1R8-40YLC,115概述
PSMN1R8-40YLC,115 产品概述
概述
PSMN1R8-40YLC,115 是一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高电流和高功率应用而设计，适合在各种电子设备中使用。该器件由知名品牌 Nexperia（安世）生产，以其卓越的电气性能、可靠性和较宽的工作温度范围而闻名。其型号中的数字1.8表示导通电阻，40表示最高漏源电压，适用于多种应用场合，包括电源管理、驱动电路以及功率转换等。
主要参数
漏源电压（Vdss）： PSNM1R8-40YLC,115 的漏源电压最高可达 40V，这使得它能在中等电压电源电路中良好运行，适应多种应用场景。
连续漏极电流（Id）：该 MOSFET 在 25°C 的条件下能够承受最大 100A 的连续漏极电流，适合于高功率需求的设备。值得一提的是，该器件在较高温度下也能够稳定运行，具有极佳的热性能。
门源阈值电压（Vgs(th)）：门源电压的阈值为 1.95V @ 1mA，这意味着在此电压下，MOSFET 开始导通，具有较好的门控特性。
漏源导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动下，当漏极电流为 25A 时，导通电阻为仅 1.8mΩ。这低的导通电阻特性有助于降低功率损耗，提升电路的整体效率。
栅极电荷（Qg）：在 10V 的驱动下，栅极电荷最大值为 96nC，这对于快速开关应用是非常有利的，能够有效改善开关损耗。
工作温度范围：PSMN1R8-40YLC,115 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C，适合在严苛环境下使用，具备极高的稳定性和可靠性。
最大功率耗散：该器件的最大功率耗散为 272W（当 Tc = 25°C 时），能够支持高功率设备和应用。
封装类型：该 MOSFET 提供多种封装，包括 LFPAK56 和 Power-SO8。其紧凑的表面贴装设计使其适合于自动化拼接和高密度电路板。
应用场景
PSMN1R8-40YLC,115 主要应用于：
电源管理：作为高效开关元件，能够在开关电源和升/降压转换器中提高能效，降低热量产生。
驱动电路：能够高效驱动电机、继电器和其他负载，为工业设备和家用电器提供稳定的功率管理。
功率转换器：适用于 DC-DC 转换器、DC-AC 逆变器等电力变换系统，实现高效率的电能转化。
小结
综上所述，PSMN1R8-40YLC,115 是一款高效、稳定的 N 沟道 MOSFET，具备优越的电气性能和广泛的应用前景。其设计旨在满足现代电子设备日益增长的功率需求，是高效能电源设计的理想选择。通过选用该器件，工程师能够在保障性能的同时，简化设计，并提升产品的整体效率和可靠性。无论是在工业应用还是消费电子产品中，PSMN1R8-40YLC,115 都能提供卓越的解决方案。