注：图像仅供参考，请参阅产品规格
PSMN5R5-60YS,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56，Power-SO8
包装 :
编带
重量 :
0.125g
描述 :
场效应管(MOSFET) 130W 60V 100A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
9.24按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥9.24
--
100+
￥7.98
--
750+
￥7.59
--
1500+
￥7.23
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
PSMN5R5-60YS,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 5.2mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 130W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3501pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN5R5-60YS,115手册
无数据
PSMN5R5-60YS,115概述
产品概述：PSMN5R5-60YS,115
一、基本信息
PSMN5R5-60YS,115 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为低损耗、高效率的电气应用而设计。其独特的性能参数使其在功率转换、开关电源、直流-直流转换器及电动汽车等领域具有广泛的适用性。该器件的封装形式为 LFPAK56 和 Power-SO8，这些封装设计优化了散热性能，使得该 MOSFET 适用于各种严格的工作环境。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）：60V
- 脉冲耐压能力高达 60V，能够满足多种中等电压应用的需求。
连续漏极电流（Id）：100A @ 25°C (Tc)
- 设备在 25°C 下的连续电流最大值达 100A，适用于高负载应用，如电源管理和马达驱动。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 1mA
- 较低的栅源阈值电压使得微控制器或其他低电压驱动电路能更容易地控制该 MOSFET。
漏源导通电阻（Rds On）：5.2mΩ @ 15A, 10V
- 低导通电阻有效减少了功耗和热量生成，提升整体效率。
最大功率耗散（Ta=25°C）：130W (Tc)
- 强大的功率处理能力，适合高功率应用并可在较高温度下稳定工作。
工作温度范围：-55°C ~ 175°C （TJ）
- 可靠的工作温度范围使其可在苛刻的环境条件下使用，保证其长期稳定性。
三、封装与安装
PSMN5R5-60YS,115 的封装选项包括 LFPAK56 和 Power-SO8，均为表面贴装型。这些封装设计考虑了空间效率和散热需求，非常适合高密度电路板的应用。此外，紧凑的结构与优良的散热性能可以有效地提升系统的整体性能。
四、应用场景
PSMN5R5-60YS,115 适用的应用场景及设备包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：其高压和高电流特性使其成为高效开关电源的理想选择。
- 电动驱动系统：在电动汽车和电动工具的马达控制中，这款 MOSFET 能够处理高电流，提供高效的电能传输。
- 对外电源转换器：可用于光伏逆变器及照明设备的电源转换，满足高负载需求。
- 工业自动化设备：广泛用于伺服电机驱动、机器人及运动控制系统中，提供可靠的开关操作。
五、总结
综上所述，PSMN5R5-60YS,115 以其优越的电气性能、广泛的应用适用性和可靠的工作特性，成为现代电气与电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在电源管理还是在高电流开关应用中，它都能提供卓越的性能。此外，该 MOSFET 的高度集成设计和优化的散热特性，确保了在多种复杂应用环境下的稳定运行，满足日益增长的市场需求。