STP11NK50ZFP
STP11NK50ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 520mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 520 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 68nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1390pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP11NK50ZFP手册
STP11NK50ZFP概述
STP11NK50ZFP 产品概述
STP11NK50ZFP 是意法半导体（STMicroelectronics）公司出品的一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为要求高电压和高电流处理的应用而设计。该器件在电力电子领域具有广泛的应用，包括开关电源、直流-直流转换器、马达驱动、以及其它高功率和高效率的电子系统。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 500V
- 连续漏极电流（Id）: 10A（在 25°C 时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 100µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 520mΩ @ 4.5A, 10V
- 最大功率耗散: 30W（在 Tc=25°C 时）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-220-3
性能特点
STP11NK50ZFP 的设计使得其在各种条件下表现出优异的导通性能和热管理能力。其漏源电压达到 500V，这使得该器件能够在高电压环境中可靠工作，适用于高电压电源和工业应用。连续漏极电流为 10A，保证了在多个应用场合下可以有效支持较大的负载。
该器件的栅源阈值电压为 4.5V，在此电压下，MOSFET 可以被有效地驱动。导通电阻 Rds(on) 最大为520mΩ，这意味着该器件在通电时能够显著降低能量损失，提高整体系统的效率。这种低导通电阻特性在开关电源和功率转换电路中尤其重要，有助于降低开关损失，提高稳态和动态性能。
此外，STP11NK50ZFP 的栅极电荷 Qg 最大为 68nC，这个参数在设计驱动电路时至关重要，较低的栅极电荷可以使驱动信号更快到达，提高开关速度并减少损耗。这对于高频开关应用具有显著的性能优势。
应用场景
STP11NK50ZFP 的适用范围广泛，主要包括但不限于以下应用：
- 开关电源：由于其高效能和高耐压特性，适用于各种 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
- 马达驱动和控制：可用于电机控制电路，提供稳定的电流并提高能效。
- 系统级电源管理：适合进行高效的电力管理和热管理，避免因高功率导致的系统失败。
- 工业设备：在工业自动化设备中，该 MOSFET 可以用于驱动负载，提供充足的电流支持。
- 可再生能源系统：可用于太阳能逆变器及其他可再生能源系统中的功率转换。
封装和安装
STP11NK50ZFP 采用 TO-220-3 封装，这种封装形式提供良好的热管理解决方案，便于散热设计，同时也使器件在安装和应用中更为方便。通孔安装形式支持在各种电路板上进行更方便的集成与应用。
总结
STP11NK50ZFP 作为一款性能优越的 N 沟道 MOSFET，结合了高耐压、高电流能力和优异的导通性能，在多种高要求的电力电子应用中表现出色。意法半导体设计和制造的这一产品不仅为工程师提供了灵活和高效的解决方案，同时也增强了现代电子设备的可靠性和能效，适应日益复杂的电力需求。随着科技的进步与市场的增长，STP11NK50ZFP 将继续在电力电子领域施展其广泛的应用潜力。