IRFP264PBF
IRFP264PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 250V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 38A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 75mΩ @ 23A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 280W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 23A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 210nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5400pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 280W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP264PBF手册
IRFP264PBF概述
IRFP264PBF 产品概述
概述
IRFP264PBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。它在功率管理、开关电源、以及高能效电路设计中具有广泛的应用。IRFP264PBF 采用了 TO-247-3 封装，具有优良的散热性能，能够应对高功率和高电流的应用需求。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）：250V
- 连续漏极电流（Id）：38A（在 Tc=25°C 时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：75mΩ @ 23A, 10V
- 最大功率耗散：280W（在 Tc=25°C 时）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
材料技术
IRFP264PBF 采用金属氧化物半导体技术，具有优越的开关特性和高效能，能够在高频情况下一直保持稳定的性能。它的漏源电压为 250V，通常适用于需要高耐压的电路。在连续漏极电流方面，该器件可以在 25°C 的条件下稳定通过 38A，使其非常适合用于高负载应用。
驱动与控制
该 MOSFET 设计具有较低的栅极电荷（Qg 最大值为 210nC @ 10V），这使得其适合应用于高频开关电源和脉冲应用中。其栅源极阈值电压为 4V，意味着在较低的控制电压下，即可实现快速开启与关闭，大大提升了电路的响应速度。
导通特性
IRFP264PBF 的导通电阻非常低（75mΩ），在启用时相对减少了功率损耗，提升了整体效率。此外，其在不同漏极电流 (Id) 和栅源电压 (Vgs) 下的导通电阻特性，使得它在多种工作条件下表现一致。对于使用高能效电源的设计师而言，这也为热管理带来了优势。
应用场景
IRFP264PBF 非常适合在以下几个领域使用：
- 电源转换器：如开关电源、DC-DC 转换器等，特别是在需要高转换效率的应用中。
- 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）的驱动和控制，能够承载高电流。
- 功率放大器：在高功率音频放大器中使用，提供清晰的输出信号。
- 逆变器：在光伏逆变器和电动车辆的逆变器中，处理电池直流电源到交流电源的转换过程。
封装与安装
IRFP264PBF 采用 TO-247-3 封装，设计允许简单的通孔焊接。它的封装能够有效散热，适合高功率环境。这种封装形式使得 MOSFET 可以通过适当的散热器进一步提升其散热能力，推动其在高温环境下的稳定工作。
结论
总之，IRFP264PBF 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET，适用于多种高电压、高电流的应用场景。其优越的导通特性、低电阻和宽工作温度范围，使其在电力电子设计中成为优秀的选择。无论是在开关电源、功率放大还是电机驱动领域，IRFP264PBF 都展现出卓越的性能与应用潜力。