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IRFBC20PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 50W 600V 2.2A 1个N沟道 TO-220
库存 :
8182(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.21按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.21
--
100+
￥2.57
--
1000+
￥2.37
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFBC20PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.4 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFBC20PBF手册
无数据
IRFBC20PBF概述
IRFBC20PBF 产品概述
概述
IRFBC20PBF 是一种高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用而设计，具有出色的导通性能和热稳定性。它的最大漏源电压为600V，最大连续漏极电流为2.2A，能有效满足许多工业和消费电子设备的需求。
主要参数
- FET 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 600V
- 最大连续漏极电流 (Id): 2.2A（在 25°C 时）
- 驱动电压: 10V（对于 Rds On 最大值和最小值）
- 导通电阻 (Rds On):
- 最大值: 4.4Ω @ 1.3A，10V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)):
- 最大值: 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg):
- 最大值: 18nC @ 10V
- 栅源电压 (Vgs):
- 最大值: ±20V
- 输入电容 (Ciss):
- 最大值: 350pF @ 25V
- 功率耗散:
- 最大值: 50W（在 Tc 条件下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（结温 TJ）
- 安装类型: 通孔（Through-Hole）
- 封装: TO-220AB
应用场景
IRFBC20PBF 的设计使其非常适合高压开关电源、逆变器、马达驱动器和其他电力电子设备的应用。由于其拥有较高的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，这款 MOSFET 可以在极具挑战性的环境中运行，同时提供稳定的性能。
Mosfet 在开关电源中的应用越来越广泛，能够有效降低能量损耗，提高系统效率。此外，它们在电动汽车、工业自动化和家电等许多领域也是不可或缺的组件。
性能优点
- 高电压承受能力：搭载600V的漏源电压能力，使其适合各种高压的应用场合。
- 出色的热管理：最大功率耗散为50W，确保在高负荷情况下仍能稳定运行，减少过热风险。
- 灵活的驱动要求：提供较低的驱动电压要求（10V）以及宽阔的栅源电压容差（±20V），使其更易于与各种控制电路兼容。
- 低导通电阻：达到4.4Ω的最大Rds On，使得设备在导通状态下能有效降低功耗，从而提高整体系统效率。
- 广泛工作范围：能够在-55°C至150°C的温度区间工作，确保高温或低温应用下的可靠性。
封装与安装
IRFBC20PBF 采用的 TO-220AB 封装不仅提供良好的热导性能，同时也方便在各种电子电路板上的安装。其通孔安装方式确保了焊接的稳定性，适合于多种电气连接和散热方案。
结论
IRFBC20PBF 是一款具有高电压承受能力、优秀的电流控制能力、良好的热谋管理能力及宽广的工作温度范围的 N 通道 MOSFET。其卓越的性能使其特别适合在电源转换、高频开关和电动马达控制等技术领域中应用，是工业和许多消费电子产品中可靠的选择。凭借其优越的特性，VISHAY 的 IRFBC20PBF 为设计工程师提供了高效、经济的解决方案。