IRFR9024NTRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
0.63g
描述 :
场效应管(MOSFET) 38W 55V 11A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
386(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.45按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.45
--
100+
￥1.11
--
1000+
￥0.924
--
2000+
￥0.77
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFR9024NTRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A |
| 漏源导通电阻 | 175mΩ @ 6.6A,10V | 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 38W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 175 毫欧 @ 6.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 38W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-Pak | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR9024NTRPBF手册
IRFR9024NTRPBF概述
产品概述：IRFR9024NTRPBF 场效应管
概要
IRFR9024NTRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能 P 通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），专为各种电源管理和开关应用而设计。该器件具有高达 55V 的漏源电压（Vdss），在室温下的最大连续漏极电流可达到 11A，适合高效的电力传输和控制。
基础参数
作为一款 P 通道 MOSFET，IRFR9024NTRPBF 在多种应用场合展示了其出色的性能。其主要参数如下：
- 漏源电压（Vdss）: 55V，适合多种中高压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 11A（在 25°C 时），提供较高的电流承载能力。
- 漏源导通电阻（Rds On）: 175mΩ（@ 6.6A, 10V），有助于减少功耗，提高效率。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V（@ 250µA），确保在低电压条件下可靠导通。
- 最大功率耗散: 38W（在 Tc=25°C 条件下），使其能够在相对高的功率下稳定工作。
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适用于极端工作环境。
封装与安装
IRFR9024NTRPBF 采用 TO-252-3（D-Pak）封装，具有优良的散热性能，适合于表面贴装应用，并且在有限的空间内依然能够有效管理热量，减少设备的尺寸。
应用场景
IRFR9024NTRPBF 特别适用于需要 P 通道 MOSFET 的电源管理和开关电路，其广泛应用于：
- DC/DC 转换器: 作为开关元件，提高能量转换的效率。
- 电池管理系统: 在电池供电设备中，控制充电与放电过程。
- 电机控制: 用于调节电机的速度和方向，尤其适合高电流及中压的电机应用。
- 功率放大器: 在音频设备中实现信号的放大。
- LED 驱动: 控制 LED 的亮度，适用于各种照明设备。
性能优势
IRFR9024NTRPBF 的设计考虑了更高的效率和更低的功耗。其较低的导通电阻降低了导通损耗，能够在高负载条件下实现更好的电源性能。此外，其较高的功率耗散能力意味着它可以在更高的功率条件下工作，而不会过热，这对于高密度电路设计尤为重要。
结论
综上所述，IRFR9024NTRPBF 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET，适用于广泛的电子应用，特别是在要求高性能和高效率的电源管理系统中。由于其优异的电气特性和广泛的应用场景，这款 MOSFET 可以满足现代电子设备的需求，帮助工程师在设计中实现更高的性能和更低的能耗。