注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN53D0L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 370mW 50V 500mA 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
5426(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.403按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.403
--
200+
￥0.26
--
1500+
￥0.226
--
3000+
￥0.2
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN53D0L-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .6nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 46pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 370mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN53D0L-7手册
无数据
DMN53D0L-7概述
产品概述：DMN53D0L-7 N通道MOSFET
基本描述： DMN53D0L-7 是一款高性能的N通道MOSFET，由DIODES（美台）公司制造，采用SOT-23表面贴装封装。这款场效应管不仅具备优越的电气性能，而且在广泛的应用场景中展现出良好的可靠性和稳定性，特别适合用于需要高效能控制的电子电路中。
技术规格：
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 最高漏源电压（Vdss）: 50V
- 最大连续漏极电流（Id）: 500mA（在25°C环境温度下操作）
- 驱动电压范围: 2.5V 至 10V
- 导通电阻（Rds(on)）: 1.6Ω（最大）@500mA，10V
- 阈值电压（Vgs(th)）: 1.5V（最大）@250μA
- 输入电容（Ciss）: 46pF（最大）@25V
- 栅极电荷（Qg）: 0.6nC（最大）@4.5V
- 最大栅源电压（Vgs）: ±20V
- 功率耗散: 370mW（最大）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 封装类型: SOT-23（TO-236-3, SC-59）
应用领域： DMN53D0L-7 MOSFET广泛应用于各种电子设备中，尤其是在电源管理、电机驱动和开关电源（SMPS）等领域，适合用于：
- DC-DC转换器和升降压电路
- 液晶显示（LCD）驱动电路
- 电池管理系统
- 过载保护和输入输出开关
- 良好的热性能使其适用于高温应用，如汽车电子产品
性能特点：
- 低导通电阻: 在500mA电流下，DMN53D0L-7的最大导通电阻为1.6Ω，有效降低损耗，提升效率。
- 较宽的阈值电压:Vgs(th)最大值为1.5V，意味着在较低的栅电压下便可快速导通，适合微控制器和低电压系统集成。
- 高温工作能力: 工作温度范围从-55°C到150°C，确保该器件可在极端环境下稳定运行，适合工业及汽车应用。
- 高频特性: 低输入电容和高栅极电荷使其在高频切换应用中表现出色，减少开关损耗。
封装与安装设计: 采用SOT-23封装，DMN53D0L-7的体积小巧，便于表面贴装，适合密集电路板设计，尤其在空间受限的应用中更显优势。其优良的散热性能也是设计考量之一，确保其在高功率下的稳定性。
总结： DMN53D0L-7 N通道MOSFET主要凭借其高效的电气性能、宽广的工作温度范围和小巧的封装设计，成为电源管理及其他电子设备中不可或缺的元器件之一。其在低导通电阻、高温度适应性及出色的可靠性为设计工程师提供了理想选择，可以有效提升整体电路的性能和稳定性。无论在工业电源、消费电子还是汽车电子等领域，DMN53D0L-7都能为系统提供优良的支持和性能保障。