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SI7611DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
0.062g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.7W；39W 40V 18A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.83按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.83
--
100+
￥6.52
--
750+
￥6.05
--
1500+
￥5.75
--
3000+
￥5.48
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7611DN-T1-GE3参数
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 9.3A，10V |
| FET 类型 | P 通道 | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），39W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 62nC @ 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1980pF @ 20V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7611DN-T1-GE3手册
SI7611DN-T1-GE3概述
SI7611DN-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI7611DN-T1-GE3 是 VISHAY（威世）品牌推出的一款高性能 P沟道 MOSFET，采用表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 封装，旨在满足现代电子应用对高效能和高可靠性的要求。该器件支持高达 40V 的漏源电压和可持续的 18A 漏极电流，非常适合在功率管理、电源开关和其他高效电路中广泛应用。
二、主要规格参数
- 类型：P 通道 MOSFET
- 封装：PowerPAK® 1212-8
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 工作温度范围：-50°C 至 150°C
- 最大功率耗散：3.7W（在环境温度下），39W（在结温下）
- 最大连续漏极电流（Id）：18A（在结温 25°C 时）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
- 在不同 Id、Vgs 下的导通电阻：最大值 25 毫欧 @ 9.3A，10V
- 驱动电压：最大 Rds On 为 4.5V，最小 Rds On 为 10V
- 最大栅极电压（Vgs）：±20V
- 栅极电荷（Qg）：62nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：最大值 1980pF @ 20V
三、技术优势
- 高效能导通：SI7611DN-T1-GE3，以其低导通电阻特性，提供了更低的能量损耗和更高的转换效率，适用于要求高效能的电源管理领域。
- 宽工作温度：该 MOSFET 可在宽温度范围内稳定工作，从严酷的环境条件到标准室温，其性能保持稳定，增强了设备的可靠性。
- 小型化封装：采用 PowerPAK® 1212-8 封装，减小了产品体积，适应了现代电子产品对小型化和重量轻的趋势。
- 高功率处理能力：在高达 39W 的功率耗散能力下，该 MOSFET 可以处理高功率应用，使其在各种高负载条件下仍能正常工作。
四、应用场景
SI7611DN-T1-GE3 适用于多种电子应用，包括但不限于：
- 电源开关：在 DC-DC 转换器和 AC 切换电路中的开关元件。
- 电池管理系统：在电池充电和放电过程中控制电流的流向。
- 负载驱动：驱动各种负载，包括电动机和传感器等。
- 功率转换：用于高频和高效能的功率转换器和逆变器。
五、总结
SI7611DN-T1-GE3 是一款优秀的 P 通道 MOSFET，其低导通电阻、适用的功率和温度范围，以及高电压能力，为它的广泛应用奠定了基础。VISHAY（威世）的这一产品在功率管理和开关应用中表现出色，适合现代电子产品对高效能和高可靠性的需求。随着电子技术的发展，SI7611DN-T1-GE3 将继续在各类先进应用中发挥关键作用，成为工程师们在设计电路时的重要选择。