SI4126DY-T1-GE3

SI4126DY-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI4126DY-T1-GE3 是由威世（VISHAY）公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，具备优良的电气特性与热管理能力，非常适合用于各种高功率应用，包括开关电源、电机控制和负载驱动等。该器件封装为 8-SOIC（小型表面贴装封装），便于自动化贴片，同时适合在空间有限的电子设计中使用。

二、技术参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 连续漏极电流（Id）: 39A（在 25°C 时，功率桥接）
• 驱动电压: 最大 Rds On 在 4.5V 和 10V 下表现优异，保证器件在不同驱动条件下的有效性。
• 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压和 15A 电流下最大值为 2.75 毫欧，显示出优秀的导电性能，降低功耗和发热。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.5V @ 250µA，适合各种逻辑电平驱动。
• 栅极电荷 (Qg): 最大 105nC @ 10V，确保快速开关性能。
• 最大栅源电压 (Vgs): ±20V，适应广泛的控制电压。
• 输入电容 (Ciss): 最大 4405pF @ 15V，提供稳定的开关特性和降低功耗。
• 功率耗散: 在空气中温度下 (Ta) 最大可达 3.5W，而在超高导热条件下 (Tc) 可达 7.8W，显示了很强的散热能力。
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ），适合极端环境条件下的应用。

三、应用场景

1. 开关电源(SMPS): SI4126DY-T1-GE3 的高效能和低导通电阻使其非常适合用于开关电源设计，无论是在恒压、恒流模式下，以提高整体的能量转化效率。

2. 直流电机驱动: 能够承受高达 39A 的电流，并具备强大的热管理能力，使得该 MOSFET 适合用作电机驱动中的开关元件，有效提升电机的驱动波形。

3. 功率放大器: 在需要高效能的功率放大器中，SI4126DY-T1-GE3 可显著改善增益特性，降低非线性失真和消耗。

4. 高频开关应用: 结合其较小的栅极电荷和输入电容，此MOSFET适合用于高频操作的电路设计，使开关速度更快，提升开关效率。

四、封装与安装

SI4126DY-T1-GE3 采用 8-SOIC 封装，具备小巧且轻便的特点，符合现代电子设备对空间的严格要求。表面贴装型设计使得该器件能够适应自动贴片装置，提升了生产效率和组装精度。

五、总结

总的来说，SI4126DY-T1-GE3 是一款具有卓越性价比的 N 通道 MOSFET，凭借其宽广的工作温度，优异的电气性能以及适应各种工作条件的能力，成为多种电子应用中的理想选择。无论是在新设计中应用还是替换旧款器件，SI4126DY-T1-GE3 都能够满足严苛的性能需求，为设计师提供更灵活的设计解决方案。