RTR020N05TL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

RTR020N05TL

商品编码: BM0000000029
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TSMT3
包装 : 
编带
重量 : 
0.034g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1W 45V 2A 1个N沟道 TSMT-3
库存 :
1931(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.21
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.21
--
200+
¥0.925
--
1500+
¥0.805
--
3000+
¥0.699
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

RTR020N05TL参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)180 毫欧 @ 2A,4.5V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Ta)FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)200pF @ 10VVgs(最大值)±12V
工作温度150°C(TJ)不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)4.1nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)45V功率耗散(最大值)1W(Ta)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 1mA

RTR020N05TL手册

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RTR020N05TL概述

RTR020N05TL 产品概述

概述

RTR020N05TL 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)提供的 N 通道场效应管(MOSFET)。该器件属于表面贴装型(SMD),适用于多种电力电子应用。其主要特点是高效能和良好的热管理性能,使其在小型化设计中非常受欢迎,尤其在电源管理、开关电源、驱动电路等领域。

主要参数

RTR020N05TL 的关键技术参数包括:

  • 最大漏极电流(Id): 在 25°C 时,器件能够提供连续漏极电流高达 2A,这使其适合于负载电流较小的应用场合。
  • 漏源电压(Vdss): 器件的最大漏源击穿电压为 45V,提供了良好的安全边际,适应多种工作环境。
  • 栅极驱动电压(Vgs): 器件的门极驱动电压在最小 Rds On(导通电阻)时为 4.5V,确保在此电压下能有效降低导通电阻,提高能效。
  • 导通电阻(Rds On): 在 4.5V 和 2A 条件下,最大导通电阻可低至 180毫欧,这意味着设备在工作时具有较低的功耗和发热量。
  • 栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为 4.1nC @ 4.5V,这减少了在开关操作时所需的驱动功耗,提高了开关频率的潜力。
  • 输入电容(Ciss): 在 10V 输入条件下,Ciss 的最大值为 200pF,适当的电容值有助于降低开关延迟,保障快速响应。

工作环境

这款 MOSFET 设计为能在宽广的工作温度范围内可靠运行,其工作温度可达 150°C。高温性能使其在严苛环境下仍能保持稳定性,减少故障风险。

封装与安装

RTR020N05TL 采用 TSMT-3 封装,可以方便地进行表面贴装,适应现代电路板设计中的空间限制。小型封装有助于减少电路板面积,适合高密度布局。

应用领域

凭借其优越的电性能,RTR020N05TL 广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理: 适用于开关电源、DC-DC 转换器等电源管理系统,能够提供高效的开关性能和稳定的电流输出。
  2. 电机控制: 适合于电机驱动电路,提供可靠的高频开关性能,提高电机效率。
  3. 消费电子: 用于各种消费电子的电源模块中,帮助实现高效能和长续航的功能。
  4. 汽车电子: 可用于车载电源管理系统,在汽车的各类电子设备中提供可靠的电流控制。

结论

RTR020N05TL 是一款高效能、小型化的 N 通道 MOSFET,具备出色的电气性能指标和较好的热管理能力,适合广泛的电源管理和开关应用。随着电子设备对能效和空间的需求不断增加,该 MOSFET 提供的优势将为工程师在设计和实施时提供有效的解决方案,满足未来电子产品的需求。选择 RTR020N05TL,不仅能够提升电路的性能,还能够确保产品在不同工作条件下的可靠性和稳定性。