安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 180 毫欧 @ 2A,4.5V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 200pF @ 10V | Vgs(最大值) | ±12V |
工作温度 | 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.1nC @ 4.5V |
漏源电压(Vdss) | 45V | 功率耗散(最大值) | 1W(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA |
RTR020N05TL 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)提供的 N 通道场效应管(MOSFET)。该器件属于表面贴装型(SMD),适用于多种电力电子应用。其主要特点是高效能和良好的热管理性能,使其在小型化设计中非常受欢迎,尤其在电源管理、开关电源、驱动电路等领域。
RTR020N05TL 的关键技术参数包括:
这款 MOSFET 设计为能在宽广的工作温度范围内可靠运行,其工作温度可达 150°C。高温性能使其在严苛环境下仍能保持稳定性,减少故障风险。
RTR020N05TL 采用 TSMT-3 封装,可以方便地进行表面贴装,适应现代电路板设计中的空间限制。小型封装有助于减少电路板面积,适合高密度布局。
凭借其优越的电性能,RTR020N05TL 广泛应用于以下领域:
RTR020N05TL 是一款高效能、小型化的 N 通道 MOSFET,具备出色的电气性能指标和较好的热管理能力,适合广泛的电源管理和开关应用。随着电子设备对能效和空间的需求不断增加,该 MOSFET 提供的优势将为工程师在设计和实施时提供有效的解决方案,满足未来电子产品的需求。选择 RTR020N05TL,不仅能够提升电路的性能,还能够确保产品在不同工作条件下的可靠性和稳定性。