RHP030N03T100

RHP030N03T100 产品概述

概述

RHP030N03T100 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为各种电子应用而设计，尤其适用于电源管理、开关电源和功率放大器等领域。该器件由知名半导体厂商 ROHM（罗姆）生产，采用表面贴装型封装（TO-243AA），为电路设计提供了更为灵活的安装方式。

技术参数

• 类型：N 通道 MOSFET，利用金属氧化物技术，能够提供优异的导通性能和快速的开关特性。
• 漏源电压（Vdss）：30V，适合中等电压的应用场合，确保在50V以下的多种电源线路中均可可靠运行。
• 连续漏极电流（Id）：3A（在25°C下），可以满足多数应用的电流需求，如电源转换、驱动电机等。
• 驱动电压：支持4V 和 10V，能够在多种驱动条件下保持高效的性能。
• 导通电阻（Rds On）：最大值为120毫欧，在10V驱动下，以3A电流运行时，提供了优秀的低导通损耗表现，减少了在工作期间的热量产生。

栅极控制特性

• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为2.5V，确保其在低电压条件下也能迅速开启，并增强开关速度，促进高频率操作。
• 栅极电荷（Qg）：在10V时，最大值为6.5nC。较低的栅极电荷要求使得该器件在高频操作时能够得到更好的效率，减少开关损耗。
• 栅极-源极电压（Vgs）：最大值为±20V，增加了设计的灵活性，以适应各种电气保护措施。

电容特性

• 输入电容（Ciss）：最大值为160pF，在10V条件下提供，确保在动态性能上的良好表现，能够有效地减少干扰和噪声，提升系统的稳定性。

其他重要参数

• 功率耗散（PD）：最大值为500mW（在环境温度下），预示着器件在高负载条件下的耐受能力，能够在温度较高的环境中正常工作。
• 工作温度范围：器件的工作温度可达到150°C，这使其具有良好的耐热性能，适合于高温环境下的应用，如汽车电子设备。
• 封装类型：采用MPT3（SOT-89）封装形式，优化设计使得该器件在小型化设计时尤其受欢迎，能够在有限的空间内完成更多的功能。

应用领域

RHP030N03T100 的应用范围相当广泛，涵盖了从工业控制、消费电子，到汽车电子等多个领域。特别适用于高效的电源转换器、驱动电机、开关电源和其他类似的功率管理电路。由于其卓越的性能指标，设计工程师可以放心地将其嵌入各种电路设计中，提高产品的整体能效与可靠性。

总结

RHP030N03T100 作为一款高效的 N 通道 MOSFET，结合其优异的电气参数、可靠的热性能及多样的应用潜力，成为了设计师在选择功率管理解决方案中的热门选择。无论是在工业应用还是消费类产品中，该器件都能以其卓越的性能支持设计师的创意与需求。ROHM 作为其制造商，凭借在半导体领域的丰富经验与不断创新，确保了产品的高品质与高稳定性，是现代电子设备中不可或缺的重要组成部分。