SI7846DP-T1-E3
SI7846DP-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.9W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7846DP-T1-E3手册
SI7846DP-T1-E3概述
SI7846DP-T1-E3 产品概述
概述
SI7846DP-T1-E3 是一款由 VISHAY（威世半导体）生产的高性能 N 型 MOSFET（场效应管），专为高效能和高可靠性应用而设计。其创新的 PowerPAK® SO-8 封装使其适用于多种电子电路，满足现代电子产品对能效和紧凑设计的需求。
基础参数
该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）为 150V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时为 4A，使其在较高电压和电流条件下运行。其栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 4.5V@250µA，反映了它在不同驱动电压下启动所需的最小栅电压。
漏源导通电阻（Rds(on)）为 50mΩ @ 5A、10V，这一低阻抗特性减少了能量损失，提高了整体系统的效率。在最大功率耗散方面，该器件可承受 1.9W（Ta=25°C），能够有效管理热量并保持稳定的工作性能。
工作条件与特性
SI7846DP-T1-E3 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合各种严苛的工作环境，并能在高温条件下保持稳定。该器件的最大栅源电压（Vgs）为 ±20V，提供了一定的设计灵活性，驱动电路的安全性可有效得到保障。
该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 36nC @ 10V，代表其在开关过程中的驱动能力，非常适合对开关频率要求较高的应用，例如 DC-DC 转换器、马达控制和负载开关等。
封装与安装
SI7846DP-T1-E3 使用 PowerPAK® SO-8 封装，由于其紧凑的尺寸和优越的散热性能，非常适合表面贴装(SMT)工艺。在空间有限的应用场合，如手持设备、便携式电子产品和汽车电子中，它的应用尤为广泛。
应用场景
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
- DC-DC 转换器：在电源管理和转换方面，它能有效提高转换效率，降低能量损失。
- 马达驱动：在驱动电机的开关过程中，提供迅速和高效的电流控制，提升马达的性能。
- 负载开关：在保护电路中高效控制电源的导通与切断，实现负载的合理控制。
- 便携式电子设备：因其小型封装与广泛的工作电压范围，适合应用在智能手机、平板电脑等消费电子产品中。
- 汽车电子：随着汽车智能化和电动化的发展，该器件在电动汽车、混合动力汽车及其控制系统中也展现出良好的应用潜力。
总结
SI7846DP-T1-E3 是一款功能强大的 N 型 MOSFET，凭借其优质的电气参数和适应性设计，可以广泛应用于多个领域。无论是在电动汽车、消费市场还是高功率设备，该 MOSFET 均能为设计师提供高效能、高可靠性的解决方案，为产品的性能提升奠定基础。VISHAY 作为领先的半导体供应商，其产品的高品质与可靠性也为用户提供了安心的保障。通过使用 SI7846DP-T1-E3，设计师可以实现创新电源解决方案，推动电子产品技术的持续进步。