额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 50mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SMT3 |
DTB114EKT146 产品概述
DTB114EKT146是一款高性能的PNP型数字晶体管,专为各种电子应用而设计,是罗姆(ROHM)公司生产的一款优质器件。其出色的性能指标和高度集成的设计,使其在现代电子设备中广泛应用。
额定功率与电流参数
击穿电压
直流电流增益
饱和压降
低截止电流
频率响应能力
DTB114EKT146采用表面贴装(SMT)技术,封装类型为TO-236-3(SOT-23-3),此种封装形式有效节省了电路板空间,提高了布局的灵活性和组件间的隔离能力。紧凑的封装设计还帮助散热,并在一定程度上提高了整体性能。
DTB114EKT146广泛应用于各种电子产品中,适合的领域包括:
作为一款高效能的PNP型数字晶体管,DTB114EKT146凭借其小巧的封装设计、良好的电气特性和广泛的应用场景,成为现代电子设计中的首选器件之一。无论是在高频应用、低功耗电路还是复杂的信号处理任务中,DTB114EKT146都能够满足设计工程师对性能和效率的严格要求,为设备的整体表现提供了强有力的支持。