BZX84C9V1LT1G
BZX84C9V1LT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 15 Ohms | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 功率 - 最大值 | 225mW |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 6V | 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BZX84C9V1LT1G手册
BZX84C9V1LT1G概述
BZX84C9V1LT1G 产品概述
一、产品简介
BZX84C9V1LT1G 是一款高性能的稳压二极管，由安森美 (ON Semiconductor) 公司生产，采用 SOT-23-3 封装。这款稳压二极管的标称齐纳电压为 9.1V，广泛应用于各种电子电路中，提供精确的电压参考和过压保护，保证电路在预定的工作环境中稳定运行。
二、关键参数
安装类型：该元件为表面贴装型，适合贴片工艺，使其在现代电子设备中得到了广泛应用。
工作温度范围：BZX84C9V1LT1G 可以在极端的环境下正常工作，其工作温度范围为 -65°C 到 150°C（TJ），确保其在高温和低温条件下都能稳定运行。
齐纳电压：该元件的标称齐纳电压为 9.1V，适合用于需要此电压的电源管理和稳压电路中。
反向电流：在6V条件下，其最大反向电流泄漏为 500nA，表明该器件在工作状态下表现出优异的电流漏出特性，增强了电路的稳定性和可靠性。
正向电压：在 10mA 的测试条件下，BZX84C9V1LT1G 的正向电压为 900mV，这对于低压供电电路有极大的帮助，可以有效降低功耗。
功率耗散：该器件的最大功率耗散为 225mW，这一参数确保了其在各种应用中具备良好的热管理，防止因为过热导致的性能下降或损坏。
输出阻抗：BZX84C9V1LT1G 的最大输出阻抗为 15 Ohms，允许其在负载变化时保持稳定的输出电压，从而提高电路的响应速度和稳定性。
封装尺寸：采用了 SOT-23-3 封装，该封装尺寸小巧，适合空间有限的设计要求，使其能够在电子设备中灵活布置。
三、应用领域
BZX84C9V1LT1G 的设计使其适用于多个电子应用领域，包括但不限于：
电源管理：在电源电路中，该器件可作为稳压器使用，确保输出电压稳定，提高整个电源系统的效率。
过压保护：在敏感电子元件前端，BZX84C9V1LT1G 能有效防止过电压对设备的损害，保证设备的长期正常工作。
信号整形：在信号处理电路中，该稳压二极管可用于削减可能的过度峰值，保护后续电路，确保信号品质。
消费电子：在手机、平板电脑、电视等消费类电子产品中被广泛使用，协助这些产品在不同工作条件下正常运作。
汽车电子：适用于汽车电子设备，保障设备在复杂和极端温度环境下的可靠性。
四、总结
BZX84C9V1LT1G 是一款优秀的稳压二极管，凭借其优异的性能参数和广泛的应用场景，成为众多电路设计的重要选择。无论是在电源管理、过压保护，还是在各种消费电子和汽车电子应用领域，其出色的稳定性和可靠性都保证了电路的安全与高效运行。对于寻求高可靠性和低功耗电子产品设计人员而言，BZX84C9V1LT1G 无疑是一个值得信赖的解决方案。