额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 32V | 晶体管类型 | NPN,PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 50mA,500mA / 600mV @ 30mA,300mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 100mA,3V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 250MHz,200MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | SMT6 |
IMZ4T108是一款高性能的NPN和PNP型双极晶体管(BJT),具备较高的信号放大能力和开关性能,广泛应用于各种电子电路中。它具有300mW的额定功率,最大集电极电流(Ic)为500mA,以及集射极击穿电压(Vce)可达32V,使其在多个应用场景中非常灵活且有效。该产品非常适合用于信号放大、电机驱动以及开关电路等任务。
IMZ4T108主要应用于消费电子、汽车电子、工业控制以及通信设备等多个领域。以下是一些具体的应用场景:
IMZ4T108是一款出色的双极晶体管,结合了高功率处理能力、优秀的频率响应、高增益特性以及适应广泛应用的灵活性。无论是在日常电子设备中,还是在高要求的工业环境里,IMZ4T108都能提供强大的性能,成为设计师和工程师们开发下一个电子产品的理想选择。通过选用IMZ4T108,能够确保设备在各种条件下的稳定性与高效能,是现代电子设计中不可或缺的核心元件之一。