DTC114YETL
DTC114YETL参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 70mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
DTC114YETL手册
DTC114YETL概述
DTC114YETL 产品概述
一、产品简介
DTC114YETL 是一款来自 ROHM（罗姆）公司的 NPN 数字晶体管，专为满足现代电子产品的性能要求而设计。这款晶体管具有卓越的电气特性，支持多种应用场景，尤其适合用于开关电路和信号放大。其设计中包含预偏压技术，方便了用户在电路中的应用。该器件的封装类型为 EMT3（SOT-416），使其在表面贴装技术（SMT）中占有一席之地，适合于紧凑空间设计。
二、关键规格
安装类型：表面贴装型 (SMD)
DTC114YETL 采用表面贴装设计，便于自动化焊接和组装，提高了生产效率并减小了总体尺寸。
电流参数：
- 最大集电极电流 (Ic)：70 mA
- 最大集电极截止电流：500 nA
该晶体管能够处理的最大集电极电流为 70 mA，适合需要中等电流驱动的应用。同时，其低截止漏电流特性（500 nA）使其在低功耗电路中表现优异。
电压参数：
- 最大集射极击穿电压 (Vce)：50 V
DTC114YETL 的最大集射极击穿电压可达 50 V，提供了一定程度的电压保护，确保其在较高电压环境下的稳定性。
饱和压降：
- 不同 Ib、Ic 的 Vce 饱和压降（最大值）：300 mV @ 250 µA，5 mA
在 250 µA 和 5 mA 的状态下，该器件的 Vce 饱和压降最大为 300 mV，这意味着其在开关操作中的功耗极低，有助于提升电源效率。
频率特性：
- 跃迁频率：250 MHz
DTC114YETL 支持高达 250 MHz 的跃迁频率，适合于在高速信号处理和通信应用中使用。
功率处理：
- 最大功率：150 mW
在提供稳定电流和电压的前提下，DTC114YETL 最大功率可以达到 150 mW，确保器件在高功率环境下仍能合理运行。
增益参数：
- DC 电流增益 (hFE)：68 @ 5 mA，5V
在 5 mA 和 5V 的条件下，DTC114YETL 的最低电流增益为 68，充分保证了其驱动能力，为电路设计提供了充足的灵活性。
基极和发射极电阻：
- 基极电阻 (R1)：10 kΩ
- 发射极电阻 (R2)：47 kΩ
这些电阻值为电路设计中的偏置设置提供了便利，使设计人员可以轻松调整和优化电路性能。
三、应用场景
DTC114YETL 可广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
- 消费类电子产品：如手机、平板电脑和其他便携式设备
- 计算机和外围设备：例如键盘、鼠标及外设
- 电源管理：可以用于开关电源和电池管理电路
- 传感器应用：在传感器的信号放大和处理环节中表现良好
- 工业自动化：适合用于各种控制和驱动电路
四、结论
综上所述，DTC114YETL 是一款高性能、低功耗的 NPN 数字晶体管，其出色的电路特性和多种应用潜力使其成为现代电子产品设计中不可或缺的组件。凭借 ROHM 的品牌实力和技术支持，DTC114YETL 将会在未来的电子市场中持续发挥重要作用，为用户带来更高的设计自由度和可靠性。