漏源电压(Vdss) | 100V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 1A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 700mΩ @ 1.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.5W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 700 毫欧 @ 1.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.9nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 138pF @ 50V | 功率耗散(最大值) | 1.5W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-89-3 | 封装/外壳 | TO-243AA |
ZXMN10A07ZTA 是一种高效能 N 沟道 MOSFET,专为需要高耐压和低导通电阻的应用设计,表现出优异的性能。该器件的漏源电压(Vdss)高达 100V,最大连续漏极电流(Id)为 1A,适合于各种开关电源和负载驱动场合。ZXMN10A07ZTA 在温度范围从 -55°C 至 150°C 的工作性能,使其非常适合工业和汽车电子应用。
漏源电压 (Vdss): 100V
连续漏极电流 (Id): 1A @ 25°C
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
漏源导通电阻 (Rds(on)): 700mΩ @ 1.5A, 10V
最大功率耗散: 1.5W(Ta=25°C)
驱动电压 (Vgs): 最大为 ±20V
输入电容 (Ciss): 138pF @ 50V
ZXMN10A07ZTA 适合于多种应用,包括但不限于:
ZXMN10A07ZTA 采用 SOT-89-3 封装(也被称为 TO-243AA),适合表面贴装技术,节省空间并提供更好的热放散能力。该封装在现代电子设计中普遍应用,特别是在尺寸和效率要求较高的案例。
本产品由美台品牌 DIODES 制造,因其在电子元器件领域的突出的市场地位和严格的质量控制体系而受到业界的广泛认可。DIODES 公司长期以来专注于半导体产品的开发,并为客户提供高品质且具有竞争力的产品。
通过提供合适的电流、电压和优秀的导通电阻,ZXMN10A07ZTA MOSFET 是各种现代电子设计的理想选择。它在高压和高频应用中的卓越表现,使其成为工程师和设计师的首选。在选择高性能 N 沟道 MOSFET 组件时,ZXMN10A07ZTA 无疑是一个值得关注的产品,它既能满足性能需求,也具备可靠性和灵活性。