FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 40pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 625mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-92-3 | 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
ZVN3310A是一款高效的N通道MOSFET(场效应晶体管),其设计能够满足多种电子应用需求。作为一款工作电压达到100V、连续漏极电流为200mA的器件,ZVN3310A以其优越的性能和可靠性,成为电子电路设计中不可或缺的一部分。该器件的额定功率耗散为625mW,能够在宽广的工作温度范围内(-55°C至150°C)稳定运行,适用于多种严酷的环境。
FET类型: ZVN3310A为N通道MOSFET,具有低导通电阻和高输入阻抗特性,适合用于高效能电子开关和放大电路。
漏源电压: 该器件的漏源电压(Vds)高达100V,使得它可以处理较大电压的负载,适合用于电源管理、负载驱动等应用。
连续漏极电流: 在25°C时,ZVN3310A的连续漏极电流(Id)为200mA,适合用于小功率电路或信号放大。
导通电阻: 该器件在10V的驱动电压下,最大导通电阻(Rds(on))为10Ω(在500mA时),使其在导通状态下的功耗相对较低,提升了能效。
输入电容: 于25V下的输入电容(Ciss)为40pF,低输入电容有助于提升开关速度,使得ZVN3310A在高频应用中表现更为优越。
阈值电压: 该器件的阈值电压(Vgs(th))最大值为2.4V(在1mA时),适合用于低电压驱动电路,能够在较低的控制电压下成功导通。
工作温度: 最大工作温度可以达到150°C,这使得ZVN3310A适用于高温环境,可保证长期稳定性。
封装类型: ZVN3310A采用TO-92-3封装,方便通孔安装,适用于手动焊接与自动化生产过程。
ZVN3310A因其良好的电气特性与可靠性,适用于广泛的应用领域,包括但不限于:
ZVN3310A是一款性能稳定、可靠性高且应用广泛的N通道MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性,适合用于多种电子电路设计。无论是在家用电器、工业控制还是移动设备等领域,ZVN3310A都能提供卓越的解决方案。其优越的热性能和宽工作温度范围,确保其在各种环境下可靠运行。因此,选择ZVN3310A将为相关电子产品的设计和生产提供优异的配件支持。