漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 190mA |
栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4.5Ω @ 100mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 265mW | 类型 | N沟道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .43nC @ 4.5V | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 功率耗散(最大值) | 265mW(Ta),1.33W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA | 安装类型 | 表面贴装型 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 欧姆 @ 100mA,10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 17pF @ 10V |
供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
NX7002AK,215 是由 Nexperia(安世)公司制造的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。具有最大漏源电压 60V,连续漏极电流 190mA 的特点,广泛应用于各类电子设备的开关和放大电路。这款器件的设计考虑了高效能和可靠性,特别适合于在严苛环境下工作的应用。
NX7002AK,215 采用 SOT-23-3 表面贴装封装(TO-236-3、SC-59),此种封装极大地节省了电路板空间,方便自动化贴装及焊接工艺,同时也增强了散热性能,确保器件在工作时的温升保持在可控范围内。
NX7002AK,215 MOSFET 的应用领域广泛,包括但不限于:
相较于其他同类产品,NX7002AK,215 在导通电阻、逻辑电平控制及高工作温度方面表现出色,能够在保证器件性能的同时,降低系统的整体功耗。此外,由于其卓越的散热性能和坚固的物理结构,该器件在动态环境下具备更高的可靠性。
总体而言,NX7002AK,215 是一款在其规格范围内表现卓越的 N 沟道 MOSFET,具有高电压、高电流以及良好的热稳定性能。其广泛的应用场景及出色的指标,使其成为设计工程师在电源管理、马达控制等电子系统中值得信赖的选择。对于需要高可靠性及高效能的应用领域,NX7002AK,215 提供了极具价值的解决方案。