STP80NF10
STP80NF10参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 15mΩ @ 40A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 40A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 182nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5500pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP80NF10手册
STP80NF10概述
STP80NF10 产品概述
一、产品简介
STP80NF10是一款高性能的N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产，专门用于功率转换和开关电源等应用。这款MOSFET具有最大漏源电压（Vdss）100V、最大连续漏极电流（Id）80A、高达300W的功率耗散能力，以及低漏源导通电阻（Rds(on)）15mΩ（在40A和10V驱动条件下），使其成为高效能电源设计的理想选择。
二、主要特性
高漏源电压和电流能力： STP80NF10在工作中可以承受高达100V的漏源电压，保证了其在高电压应用中的可靠性。同时，其在25°C环境温度下的最大连续漏极电流为80A，适合大电流负载应用。
低导通电阻： 该器件在40A和10V的条件下，最大导通电阻仅为15mΩ，确保了在大电流工作时的能量损耗极小，进而提高了整体效率并降低了发热。
宽工作温度范围： STP80NF10的工作温度范围为-55°C至175°C，适合在极端温度条件下工作的设备，提高了应用的灵活性和可靠性。
栅源极阈值电压： 栅源极阈值电压（Vgs(th)）为4V（在250µA下测量），可以便于驱动电路设计，这意味着在低电压环境下，MOSFET就能够有效开启。
良好的开关特性： STP80NF10的最大门极电荷（Qg）为182nC（在10V驱动下），有效降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。
封装类型： 该器件采用TO-220封装，便于散热，适合高功率应用，同时其通孔设计便于安装。
三、应用场景
STP80NF10广泛应用于以下领域：
- 开关电源：由于其高效能和低导通电阻特性，能够显著提高电源转换效率，减少能量损失。
- 电机驱动：在电机控制和驱动电路中，其高电流能力和快速开关特性使得电机驱动更加高效，从而降低功耗。
- LED驱动：在LED照明应用中，MOSFET能够实现高效的电流控制，提高LED的亮度和使用寿命。
- 电池管理系统：STP80NF10可以用于电池充放电的开关管理，具备良好的功率处理能力与快捷的开关响应。
四、总结
STP80NF10是一款性价比高的N沟道MOSFET，凭借其优秀的电气特性，如高电压电流处理能力、低导通电阻和宽工作温度范围，广泛适用于各类功率管理和开关应用。其可靠性和高效能使其成为现代电子产品设计中的重要器件，在推动电子产品向高效、环保方向发展的过程中发挥了至关重要的作用。