2SB1260T100R
2SB1260T100R参数
| 额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 1A |
| 集射极击穿电压Vce | 80V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 180 @ 100mA，3V | 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
2SB1260T100R手册
2SB1260T100R概述
2SB1260T100R 产品概述
产品名称：2SB1260T100R
品牌：ROHM（罗姆）
器件类型：PNP 三极管 (BJT)
封装类型：TO-243AA / MPT3 (SOT-89-3)
应用场景：适用于开关电源、放大器、信号处理及通用电子应用等领域。
一、基本参数
2SB1260T100R 是一款高性能的PNP型晶体管，其额定功率为2W，集电极电流（Ic）为1A，集射极击穿电压（Vce）高达80V。该器件在工作过程中能够有效处理大电流和高电压，满足多种应用的要求。典型的集电极截止电流（ICBO）最大值为1µA，确保在关断状态下功耗微小。
二、性能特点
高功率及高电流处理能力：该晶体管设计功率为2W，能够承受最高1A的集电极电流，适合用于驱动模块和各种负载。它的高功率容限使其在应用中更加灵活。
优异的电压特性：2SB1260T100R 的集射极击穿电压可达到80V，确保其在高负载情况下的可靠性。此外，它的Vce饱和压降在50mA和500mA状态下最大值可控制在400mV和500mV，降低了功耗的同时保障了强信号性能。
出色的增益性能：在特定的Ic（100mA）和Vce（3V）条件下，该晶体管达到了最小值的180的直流电流增益（hFE），这表明在低电流驱动下能够实现有效的信号放大，适用于高灵敏度应用。
高频响应：其跃迁频率达到100MHz，适合用于高频信号处理，适应快速数据传输需求的应用场景。
宽工作温度范围：该器件的最高工作温度为150°C（TJ），在高温环境下依然能保持优秀的性能表现。
表面贴装设计：作为表面贴装型元器件，2SB1260T100R的安装便捷，适合现代电子产品的小型化设计需求，提高了PCB空间的利用率。
三、应用领域
2SB1260T100R广泛应用于各类电子设备中，特别是在以下领域表现突出：
- 开关电源：适合整流、开关等电源相关的应用，为高效能电源管理提供支持。
- 线性放大器：可用于音频放大器、电信线路放大器等信号增强场合，以满足音频处理和信号清晰度的需求。
- 开关控制电路：在各种电机控制、继电器控制、灯光控制系统中，作为开关元件进行电流的切换和调节。
- 高频电路：适合在高频率工作环境下的RF放大器，保证信号传输的稳定。
四、结论
总体来看，ROHM 的2SB1260T100R是一款性能优越的PNP型三极管，具备高功率、高电流和高频率特性，适用于开关电源、线性放大器和各种电子控制应用。凭借其紧凑的封装设计和表面贴装特性，是现代电子产品中不容忽视的关键元器件。无论是在商业电子产品还是在实验室研发中，2SB1260T100R都将展示出其出色的性能稳定性与可靠性。