RYE002N05TCL
RYE002N05TCL参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0.9V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 26pF @ 10V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 50V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 1mA |
RYE002N05TCL手册
RYE002N05TCL概述
RYE002N05TCL 产品概述
一、产品基本信息
名称：RYE002N05TCL
类型：N通道MOSFET
品牌：ROHM（罗姆）
封装形式：EMT3
安装类型：表面贴装型（SMD）
最大漏源电压（Vdss）：50V
连续漏极电流（Id）：200mA @ 25°C
最大功率耗散：150mW @ 25°C
工作温度范围：-55°C到150°C
导通电阻（Rds On）：最大值2.2Ω @ 200mA，4.5V
输入电容（Ciss）：最大值26pF @ 10V
最大栅源电压（Vgs）：±8V
阈值电压（Vgs(th)）：最大值800mV @ 1mA
二、产品特性
RYE002N05TCL是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计旨在满足现代电子设备对功率和热管理的需求。该产品具有较高的导通效率和较低的导通电阻，能够在较低的栅压下实现快速开关和高效导电。
其最大的漏源电压为50V，这使其适用于多种中低压电子电路，如开关电源、LED驱动、电池管理系统以及各种信号开关等场合。以200mA的最大连续漏极电流能力，为各种小型设备提供了稳定的电流支持。
三、工作原理与应用
N通道MOSFET的工作原理是通过给栅极施加电压来控制源极与漏极之间的电流流动。RYE002N05TCL在栅源电压为4.5V时，能够达到最小2.2Ω的导通电阻，确保在高电流工作时提供有效的能量传输。这一特性使得它非常适合用于需要高频切换或低开关损耗的应用场合。
由于其额定的工作温度高达150°C，RYE002N05TCL非常适合于在恶劣环境下工作而不影响性能。这一特性使其在汽车电子、工业控制及消费类电子设备中非常受欢迎，尤其是在需要高度可靠和长时间工作的场景中。
四、设计优势
- 低导通电阻：在规定位上保持通过高电流的同时，保持低的功耗损失。
- 紧凑尺寸：EMT3封装形式使得RYE002N05TCL适合在空间受限的电子产品中使用。
- 热稳定性强：高达150°C的工作温度确保其在很多特殊环境条件下依然可以稳定可靠工作。
- 良好的开关特性：由于较低的输入电容和合适的阈值电压，RYE002N05TCL能在频率范围内实现快速的开关响应。
五、应用领域
RYE002N05TCL广泛应用于以下几个领域：
- 开关电源：在DC-DC转换器中，作为开关管使用，以提升转换效率。
- LED驱动：在LED照明中使用，作为开关控制元件，确保高效转换与控制。
- 电池管理系统：在电池充放电过程中提供可靠的电流控制。
- 移动设备和消费性电子：其小型化和高热稳定性使得它适用于多种小型电子设备的电源管理。
- 汽车电子设备：符合汽车电子的高工作温度需求，确保在严苛条件下依然可靠工作。
六、总结
RYE002N05TCL作为一款高性能的表面贴装型N通道MOSFET，凭借其优秀的电气特性、良好的热稳定性和广泛的应用能力，已成为电子设计工程师在构建高效能电子产品时的重要选择。其在汽车、工业和消费电子中的广泛应用证明了其在现代电子技术中的重要角色。整体而言，RYE002N05TCL是一款极具价值和高性能的电子元器件，很好地满足了日益增长的电子应用需求。