RE1C002UNTCL
RE1C002UNTCL参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，2.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 10V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
RE1C002UNTCL手册
RE1C002UNTCL概述
RE1C002UNTCL 产品概述
RE1C002UNTCL 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名品牌ROHM（罗姆）制造，适用于各种低功耗应用。该器件采用表面贴装型封装（SC-89/SOT-490），特别适合在空间受限和对散热要求较高的电路中使用。
主要技术参数
漏源电压（Vdss）: RE1C002UNTCL 的漏源电压最高可达20V，这使其能够在多种工业和消费类电子设备中得以广泛应用，从家庭自动化到工业控制系统。
连续漏极电流（Id）: 它的工作条件下，具有200mA的连续漏极电流能力，能够满足大多数低功率负载的驱动需求。
导通电阻（Rds On）: 在100mA和2.5V的条件下，导通电阻的最大值为1.2Ω，这在一定程度上可以降低开关损耗及功率消耗，有效提高设备的能效。
驱动电压（Vgs）: 该器件的最大驱动电压为±8V，使其在各种输入信号下仍然能够保持良好的性能表现，且阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V @ 1mA，确保了敏感的开关控制。
输入电容（Ciss）: RE1C002UNTCL 在10V下的最大输入电容为25pF，这有助于实现快速开关控制与高频率应用。
工作环境与热特性
RE1C002UNTCL的工作温度范围达到了150°C（TJ），对于提高系统的可靠性尤其重要。在高温环境下依然能够稳定工作，符合许多工业应用的严苛要求。同时，它的最大功率耗散限制为150mW，使得该器件能够有效地处理较小的热负荷，适合在密闭空间内使用。
应用场景
RE1C002UNTCL广泛应用于以下领域：
- 消费类电子: 可用于手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理电路。
- 家电: 适合在洗衣机、空调和其他家电中使用，以提供开关控制功能。
- 工业设备: 可以应用于数字信号控制器、传感器和小型电机驱动等领域。
封装与兼容性
该产品采用EMT3F封装（SOT-416FL），是一种紧凑且易于操作的表面贴装设计，便于在自动化生产线中进行高速组装。对于设计工程师而言，这种小型化和高集成度极大地方便了PCB布局和电路设计。
性能总结
RE1C002UNTCL继承了ROHM一贯的质量与性能，其低导通电阻、宽幅驱动电压、优良的开关特性以及能够可靠工作在高温环境下的能力，使其在很多需求苛刻的应用中均能表现出色。该器件不仅提升了整体电路设计的效率与可靠性，还能在确保成本效益的同时，提供创新解决方案。
总之，RE1C002UNTCL 是一款理想的N沟道MOSFET，符合现代电子产品对性能和可靠性的高标准，是设计师们在低功耗和高效能应用中值得考虑的优质选择。