RB521ZS-30T2R
RB521ZS-30T2R参数
| 直流反向耐压（Vr） | 30V | 平均整流电流（Io） | 100mA |
| 正向压降（Vf） | 370mV @ 10mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V | 电流 - 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 370mV @ 10mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 7µA @ 10V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） | 供应商器件封装 | GMD2 |
| 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
RB521ZS-30T2R手册
RB521ZS-30T2R概述
产品概述：RB521ZS-30T2R
概述
RB521ZS-30T2R 是一款由知名电子元器件制造商 ROHM（罗姆）出品的肖特基二极管，专为高效能电源管理及整流应用而设计。该器件的主要特性包括高达30V的直流反向耐压（Vr）、100mA的平均整流电流（Io）以及极低的正向压降（Vf），使其在保证高导电效率的同时，降低能量损耗。其小巧的0201（0603公制）封装也使其特别适合于空间有限的设备和设计中使用。
关键参数
直流反向耐压（Vr）：此二极管支持高达30V的反向电压，非常适合用于各种中低电压直流电源电路，包括消费电子、通信设备和汽车电子等应用领域。这一特性确保了器件在多种工作环境下的可靠性。
平均整流电流（Io）：RB521ZS-30T2R提供高达100mA的持续电流能力，使其适用于各种小功率应用中的整流和保护角色。
正向压降（Vf）：在10mA的测试条件下，其正向压降仅为370mV，这使得RB521ZS-30T2R在整流电路中能显著降低功耗，提高系统效率。低正向压降尤其适合用于便携设备及电池供电的应用。
反向泄漏电流：器件的反向泄漏电流在10V时仅为7µA，表明其拥有优异的反向性能，适合长期稳定工作，且对电源系统的影响微乎其微。
工作温度：RB521ZS-30T2R 具备的最大结温为150°C，确保其在较高温度环境下仍然能稳定工作。这使其在高温和严苛环境下的应用成为可能。
封装与安装
RB521ZS-30T2R采用DFN0603-2（SOD-962）封装，这种表面贴装型的设计适用于现代电子设备的高密度集成和小型化需求。其0402封装的体积优势使得该二极管能够轻松嵌入到各种板层设计中，减少电路板的占用空间。此外，表面贴装的形式有助于提高自动化制造过程中的效率，减少了组装时间和成本。
应用场景
因其优异的电气特性和便利的封装设计，RB521ZS-30T2R适用于多种应用场景，包括但不限于以下几个方面：
电源管理：该二极管可用于开关电源、线性稳压器及其他需要高效率及低功耗的电源管理系统中。
整流电路：广泛应用于小功率整流电路，特别是上述低电压段的电源应用。
逆向保护：在电池供电或其他电源保护电路中，可以有效防止由于电源接反而带来的损害。
信号整流：对于需要处理小信号的电子设备，RB521ZS-30T2R可用于整流和信号处理，提高电路的性能。
总结
RB521ZS-30T2R是ROHM公司推出的一款高性能肖特基二极管，凭借其优越的电气特性和紧凑的封装设计，广泛适用于现代电子设备的电源管理与整流应用。随着电子产品向小型化、高集成度以及高效率的不断发展，RB521ZS-30T2R将继续发挥其优质性能，为设计工程师提供更多创新的解决方案。对于需要高可靠性和高效能的应用，RB521ZS-30T2R无疑是值得优先选择的电子元件之一。