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DMP2002UPS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI5060-8
包装 :
编带
重量 :
0.2g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.3W 20V 60A 1个P沟道 PowerDI5060-8
库存 :
156(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
3.92按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.92
--
100+
￥3.27
--
1250+
￥2.97
--
2500+
￥2.75
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2002UPS-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 585nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12826pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
DMP2002UPS-13手册
无数据
DMP2002UPS-13概述
DMP2002UPS-13 产品概述
1. 产品简介
DMP2002UPS-13是一款高性能的P沟道MOSFET，旨在满足现代电子设备在高效功率管理和低能耗应用中的需求。该元件由知名品牌DIODES（美台）生产，具有卓越的特性，适用于广泛的高压、高电流应用场景。
2. 主要参数
- FET类型：P沟道
- 漂移电压（Vdss）：20V
- 持续漏电流（Id@25°C）：60A (Tc)
- 驱动电压：最低启动电压为2.5V，最高为10V；
- 导通电阻（Rds On）：在25A和10V下最大为1.9毫欧；
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为1.4V（250µA）；
- 栅极电荷（Qg）：在10V下最大为585nC；
- 栅极最大电压（Vgs）：±12V；
- 输入电容（Ciss）：在10V下最大为12826pF；
- 功率耗散：最大为2.3W（Ta）；
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ）；
- 封装类型：PowerDI5060-8（表面贴装型）
3. 特性与优势
DMP2002UPS-13采用先进的MOSFET技术，结合P沟道结构，使其在低导通电阻下能实现高电流处理能力，这对于降低功耗和提高效率至关重要。在实际应用中，低导通电阻意味着在导通状态下产生的热量更少，可以更好地保护下游电路元件。
此外，该产品的最大栅电压为±12V，使其兼容多种驱动电压，具备较强的适应性和灵活性。栅极电荷的值（最大585nC）相对较低，可以减少开关损耗，提高开关频率，从而使其在高频率应用中表现出色。
4. 应用场景
DMP2002UPS-13广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 电源管理：在高效电源供应器（如开关电源）中作为主开关或驱动元件，帮助实现高效的能量转换。
- 电机控制：可用于电机驱动电路中，提高电机驱动的效率和可靠性。
- 电池管理系统：在电池充放电管理中保持高能效，减少能量损失。
- LED驱动器：在LED照明应用中，以满足高亮度和长寿命的需求。
5. 封装与机械特性
DMP2002UPS-13采用PowerDI5060-8封装，这种表面贴装型封装有利于热管理，并提供优越的电性能。其紧凑的封装设计使得在有限的PCB空间内，能够实现更高的元件密度，便于各种现代电子设备的集成设计。
6. 结论
综上所述，DMP2002UPS-13凭借其出色的电气性能、广泛的工作温度范围和优良的热管理特性，成为了许多电源管理和功率转换应用中的理想选择。无论是在家电、工业自动化还是新能源应用中，该产品都能够提供可靠的性能支持，是电路设计工程师值得信赖的选择。在日益追求节能和高效的今天，选择DMP2002UPS-13将有助于实现长效而可靠的电源解决方案。