GJM1555C1H470JB01D
GJM1555C1H470JB01D参数
| 精度 | ±5% | 容值 | 47pF |
| 额定电压 | 50V | 温漂系数（介质材料) | C0G |
| 电容 | 47pF | 容差 | ±5% |
| 电压 - 额定 | 50V | 温度系数 | C0G，NP0 |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C | 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 应用 | RF，微波，高频 | 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） | 大小 / 尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
GJM1555C1H470JB01D手册
GJM1555C1H470JB01D概述
GJM1555C1H470JB01D 产品概述
概述
GJM1555C1H470JB01D是由著名电子元器件制造商村田（muRata）推出的一款高性能贴片电容器（MLCC）。该电容器的特性使其在多个高频应用中展现出色的性能，尤其是在射频（RF）和微波技术领域。其紧凑的0402（1005公制）封装使得其在空间有限的应用场合中尤为适配。
关键参数
以下是GJM1555C1H470JB01D的主要技术参数：
- 容值：47pF
- 精度：±5%
- 额定电压：50V
- 温漂系数：C0G
- 工作温度范围：-55°C ~ 125°C
- 特性：高Q值，低损耗
- 安装类型：表面贴装
- 封装尺寸：0402 (1005公制)，尺寸为1.00mm x 0.50mm，厚度最大为0.55mm
特性与优势
高Q值与低损耗： GJM1555C1H470JB01D采用C0G（或称 NP0）介质，具有高Q值特性。这使得其在高频信号处理时能够有效降低信号损耗，提升信号的质量和稳定性。高Q值意味着在频率响应方面不易发生衰退，因此特别适合用于RF和微波电路。
温度特性： 该电容器的工作温度范围宽广，从-55°C到125°C，能够在严苛环境下稳定工作，适合航空航天、军事、汽车电子等需求高可靠性的应用场合。同时，其温漂系数设计优良，使得在温度变化下，电容的值几乎不会发生变化，从而保证了电路的稳定性。
体积小巧： GJM1555C1H470JB01D的0402封装使得其在设计紧凑的电子设备时非常具备优势。小体积电容可以有效节省PCB空间，使设计更为灵活，能够满足现代电子设备向小型化、高集成度方向发展的需求。
适用场景广泛： 该电容器特别适合RF（射频）、微波与高速数据传输等领域应用。它可以用于滤波器、耦合器、谐振电路以及调谐电路中，保证信号完整传输，同时减少串扰和其他不必要的信号干扰。
应用领域
GJM1555C1H470JB01D在诸多行业有广泛的应用：
- 通信设备：适用于手机、基站等设备中的信号处理，与射频电路耦合，确保高效信号传输。
- 消费电子：用于智能家居设备、音频设备等，提升设备的音响效果与信号稳定性。
- 汽车电子：应用于汽车电子控制单元（ECU）、车载通讯系统中，为确保车内无线通讯的稳定性作出贡献。
- 军事与航天：由于其宽广的工作温度及高可靠性，在军事、航天工程中被广泛使用。
总结
GJM1555C1H470JB01D是一款性能卓越的贴片电容，凭借其高Q值、低损耗、宽广的工作温度范围以及紧凑的尺寸，成为高频应用中的理想选择。无论是在通信、消费电子，还是在高要求的汽车及军事领域，这款电容都能提供可靠且高效的解决方案，体现出了村田作为电子元器件制造领域的领导者的技术实力与创新能力。