ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTA 产品概述

概述

ZXMP10A18GTA 是一款高效的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为需要高电压和中等电流的应用而设计。它采用表面贴装封装（SOT-223），具有优良的热性能和电气性能，可广泛应用于开关电源、电机驱动以及其他需要控制电流的电路。在功率管理和开关调节电路中，这款 MOSFET 展现出优异的表现，能够为设计工程师提供高效、可靠的解决方案。

技术参数

ZXMP10A18GTA 具备的关键参数包括：

• 漏源电压（Vdss）: 100V，适用于高压环境。
• 连续漏极电流（Id）: 2.6A（在环境温度为25°C时）。
• 栅极驱动电压（Vgs）: 适应于6V至10V的驱动电压。
• 导通电阻（Rds On）: 最大值为150毫欧（在2.8A和10V时），确保高效率的功率传输。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为4V（在250µA漏电流时），便于设计工程师判断何时开启或关闭MOSFET。
• 输入电容（Ciss）: 最大值为1055pF（在50V时），有助于快速开关而不引入过多延迟。
• 功率耗散: 最大值为2W，适应多种工作环境。

特性

ZXMP10A18GTA 的一系列优势特性使其在众多应用中表现出色：

1. 宽温工作范围: 工作温度范围从-55°C 至 150°C，保证在极端环境下也能稳定工作。
2. 紧凑的封装设计: SOT-223 封装，使得其在面积受限的应用中具有极大的灵活性，比如手持设备及消费电子产品。
3. 低导通损耗: 由于其低 Rds On 值，这款 MOSFET 在导通状态下能有效降低功率损耗，从而提高系统的整体效率。
4. 高开关速度: 较低的栅极电荷（Qg）意味着 ZXMP10A18GTA 可以实现快速开关，适合高频应用。

应用场景

ZXMP10A18GTA 可以在多个领域和应用场景中发挥其优势：

• 电源管理: 适用于各种电源转换器和储能设备，帮助提高能量转换效率。
• 电机驱动: 在驱动直流电机和步进电机时，能够实现精准的速度和位置控制。
• 消费电子: 广泛应用于各种手持设备、智能家居产品和其他低功耗电子设备中。
• 照明控制: 可用于LED驱动电路，提供快速的开关控制。

总结

ZXMP10A18GTA是一款高性能的 P 型沟道 MOSFET，能够满足严格的电气和热性能要求。凭借其出色的电流处理能力、低导通电阻和广泛的应用适应性，这款 MOSFET 是电子工程师在设计功率管理和开关电路时的重要选项。无论是在新产品开发还是现有产品优化中，ZXMP10A18GTA都能为实现高效、稳定的电路运行提供强有力的支持。选择 ZXMP10A18GTA，意味着选择了一款可靠的现代电子元器件，为世界各地的电子应用注入新的活力。