注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN2009LSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 20V 12A 1个N沟道 SO-8
库存 :
3296(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.82按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.82
--
100+
￥1.4
--
1250+
￥1.22
--
2500+
￥1.15
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2009LSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | FET 类型 | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2555pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 58.3nC @ 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 12A，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
DMN2009LSS-13手册
无数据
DMN2009LSS-13概述
产品概述：DMN2009LSS-13
一、概述
DMN2009LSS-13 是由 DIODES（美台）公司生产的一款高性能 N 型 MOSFET，采用 SO-8 封装，广泛应用于电源管理、负载开关、马达驱动及其他高频开关应用。该元件适合在 20V 的漏源电压下连续工作，提供12A的连续漏极电流，具有出色的热性能和高效能，尤其适合需要高开关频率和低导通损耗的电子设计。
二、主要特性
- 漏源电压 (Vdss): 最高可达20V，适合轻载和小功率电源应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C下可承受最高12A电流，宁静运作，能够适应瞬时电流需求。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值1.2V @ 250µA，确保在较低的栅极驱动电压下启动。
- 低导通电阻 (Rds On): 仅为8毫欧 @ 12A，10V，此特性使得该器件在高负载情况下依旧能保持低功耗和低发热。
- 最大功耗: 可支持高达2W的功耗，适合大部分正常工作环境。
- 宽广的工作温度范围: 在-55°C到150°C之间工作，使其在严酷的环境下依然可靠。
三、性能参数
- 输入电容 (Ciss): 在不同Vds下，其最大输入电容为2555pF @ 10V，这一参数表明在高频应用中，DMN2009LSS-13 能够有效降低开关损耗。
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为58.3nC @ 10V，此参数的降低可进一步提高开关频率，并降低驱动功耗。
- 栅极驱动电压: 最大 Rds On 和最小 Rds On 分别为2.5V和10V，确保兼容多种驱动电路，提升了模块的设计灵活性。
四、应用场景
DMN2009LSS-13 的适用范围非常广泛：
- 电源转换器: 可作为开关元件用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等，以提高能量转换效率。
- 电机驱动: 适合用于直流电机和步进电机的驱动控制，能承受高启动电流。
- 负载开关: 能被用于安全地控制各种负载，如开关电源、LED驱动电路等。
- 汽车电子: 在汽车领域的高压电源管理和安全性设计中也有着重要的作用。
五、封装与安装
DMN2009LSS-13 采用 SO-8 表面贴装封装，尺寸紧凑，非常适合空间有限的应用设计。SO-8封装进一步优化了电气性能，为快速电路和高密度设计提供了良好的解决方案。同时，该封装的热性能也有利于长时间的稳定运行。
六、总结
综上所述，DMN2009LSS-13 MOSFET 结合高效的性能、合理的价格和可靠性，成为研发与设计中的热门选择。其低导通电阻与宽起始栅电压使其适合不同场合的应用，是现代电子设备设计中不可或缺的重要元件。如果您寻求在电源管理和功率控制方面的解决方案，DMN2009LSS-13 是一款值得考虑的理想选项。