DMG2302UK-7
DMG2302UK-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.8A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 90mΩ @ 3.6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 660mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 3.6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.8nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 130pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 660mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMG2302UK-7手册
DMG2302UK-7概述
DMG2302UK-7 产品概述
概述 DMG2302UK-7是由美台（DIODES）公司出品的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有广泛的应用场景和优良的电气特性。这款MOSFET采用SOT-23封装，适合表面贴装（SMD）电路板上使用。它的设计特别注重低功耗、高效率和可靠性，在各类电子设备中都表现出色。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id @ 25°C）: 2.8A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 90mΩ @ 3.6A, 4.5V
- 输入电容（Ciss）: 130pF @ 10V
- 最大功率耗散: 660mW（Ta = 25°C）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23
电气特性 DMG2302UK-7的漏源电压为20V，适用于低到中压电源管理应用。它的连续漏极电流达到了2.8A，使其可以在多个电流应用中稳定工作。栅源极阈值电压仅为1V，使其能够在较低的栅压下快速开启，进一步提高了开关效率。
该器件的导通电阻（Rds(on)）为90mΩ，这在MOSFET中算是一个较低的值，能够有效减少在高电流下的功耗和热生成。此外，输入电容为130pF，这使得其在高频应用中具备良好的开关性能，特别是在开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC）的设计中。
封装与可靠性 DMG2302UK-7采用SOT-23封装，这是目前市场上非常流行且广泛使用的封装形式，尤其是移动设备和便携式电子产品中。它的紧凑设计，使得在有限的空间内高效使用电子元器件成为可能，同时也简化了PCB设计和改进了装配过程。
产品的工作温度范围从-55°C到150°C，显示出其在极端环境下的良好适应性。这种宽广的工作温度范围使其成为汽车电子和工业控制等要求苛刻环境的理想选择。
应用场景 DMG2302UK-7适用于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源管理
- 电池供电设备
- 直流-直流转换器
- LED驱动电路
- 汽车电子系统
- 便携式电子设备
由于其低导通电阻和低栅驱动电压，DMG2302UK-7非常适合用于高效率的电源管理电路，如DC-DC转换器和负载开关。它还可以在高频操作中提供可靠的性能，使其在现代电子设计中得到广泛应用。
总结 总之，DMG2302UK-7是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优越的电气特性、紧凑的封装和出色的可靠性，使其特别适合各种电子应用。凭借其出色的导通性能和多样的应用场景，这款MOSFET将是设计师进行电源管理和高效电路设计时的重要选择。无论是在消费电子、工业还是汽车电子领域，DMG2302UK-7都能为系统提供支持和增强效率。