PSMN4R0-30YLDX
PSMN4R0-30YLDX参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 95A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.2V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 4mΩ @ 25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 64W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 95A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1272pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 64W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN4R0-30YLDX手册
PSMN4R0-30YLDX概述
PSMN4R0-30YLDX 产品概述
一、产品简介
PSMN4R0-30YLDX 是一款高性能的 N 债场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商 Nexperia（安世）出品。该器件专为高效率和高功率应用而设计，适用于各种电子设备的电源管理、开关控制和电机驱动等场合。它在同类产品中脱颖而出，以其低导通电阻、高耐压及卓越的热性能而被广泛使用。
二、主要特性
最大漏源电压（Vdss）: 30V。PSMN4R0-30YLDX 能够承受的最大漏源电压为 30V，适合大多数低压应用。
连续漏极电流（Id）: 25°C 时可达 95A（Tc）。这一强大的电流能力使得该器件在要求高电流输出的应用中表现优异。
栅源阈值电压: 约为 2.2V（@ 1mA）。该阈值电压确保了在较低的栅极驱动电压下，MOSFET 能快速、高效地开启。
低导通电阻（Rds(on)）: 4mΩ（@ 25A, 10V）。这使得器件在导通状态下的功率损耗极低，从而提高了整体的能效。
最大功率耗散: 64W（在 Tc 条件下）。PSMN4R0-30YLDX 专为高功率应用设计，能够有效管理发热，延长器件使用寿命。
工作温度范围: -55°C 到 175°C（TJ）。其广泛的工作温度范围意味着该 MOSFET 能够在各种极端环境下稳定工作，符合汽车及工业应用的要求。
驱动电压: 可在 4.5V 和 10V 下工作，适应不同的电路需求和设计。
封装: 该 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，提供卓越的热性能和空间效率，还可选用 Power-SO8 封装，便于不同应用的集成与布局。
三、应用场景
PSMN4R0-30YLDX 的设计目标是满足现代电子设备对高效能和高可靠性的要求，其广泛应用于以下领域：
电源管理: 用于开关电源、DC-DC 转换器等电源模块，能够降低功率损耗，提高能效。
电机驱动: 适合用于电动机控制电路，具备出色的热管理和电流处理能力。
消费电子: 可用于笔记本电脑、平板电脑等消费类电子产品，提升产品的性能和使用体验。
汽车电子: 在电动及混合动力汽车的驱动系统、电池管理系统中被广泛应用，以支持高功率和可靠性的需求。
工业自动化: 高效、坚固的 MOSFET 适用于各种工业控制设备，有助于提高整体生产效率。
四、总结
PSMN4R0-30YLDX 是一款领先的 N 通道 MOSFET，具备低导通电阻、高漏电流、宽温适应性及高功率耗散能力，特别适用于需要高效率和高可靠性的应用。凭借其出色的技术规格和性能表现，这款 MOSFET 成为设计师和工程师在选择电子元器件时的优先选择，为相关电子产品提供稳定的解决方案。 由于 Nexperia 在提供高质量且经过严格测试的半导体设备方面的声誉，用户可以信赖 PSMN4R0-30YLDX 在各种应用中的表现和可靠性。无论是在电源管理、工业控制，还是在电动汽车技术上，PSMN4R0-30YLDX 都展现出其独特的价值与应用灵活性。