PDTA114ET,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PDTA114ET,215

商品编码: BM0000000772
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
库存 :
5131(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.472
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.472
--
200+
¥0.157
--
1500+
¥0.0983
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTA114ET,215参数

额定功率250mW集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce50V晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

PDTA114ET,215手册

PDTA114ET,215概述

PDTA114ET,215 产品概述

产品简介

PDTA114ET,215 是一种高性能的 PNP 型数字晶体管,专为低功率开关和放大应用而设计。该晶体管采用表面贴装型封装(TO-236AB),便于在各类电子电路板上实现高密度布局。拥有250毫瓦的额定功率和50伏的集射极击穿电压,使这个元件在众多应用场景中具备出色的工作性能。

基本参数

  1. 额定功率: 250mW

    • 该指标指示了晶体管在正常工作条件下能够承受的最大功率,确保在多种环境中稳定工作。
  2. 集电极电流 (Ic): 最高可达100mA

    • 这个参数代表了晶体管集电极和发射极之间的电流承载能力,适合驱动小功率负载。
  3. 集射极击穿电压 (Vce): 50V

    • 该电压值表示晶体管在不发生击穿的情况下能够承受的最大电压,确保其在高电压环境中的应用安全。
  4. 电流 - 集电极截止 (最大值): 1μA

    • 表示在关闭状态下,晶体管的漏电流极小,有助于提高电路的功效和效率。
  5. 功率 - 最大值: 250mW

    • 说明其在任何工作状态下都能保持低功耗,有助于延长设备的使用寿命。
  6. DC 电流增益 (hFE): 最小值为 30(在不同的 Ic 和 Vce 条件下)

    • 表示晶体管的放大能力,使其在作为信号放大器时能有效地提高信号强度。
  7. 饱和压降 (最大值): 150mV(在特定Ic和Ib条件下)

    • 较低的饱和压降使得PDTA114ET,215在开关状态下的功率损耗更低,从而提高了功率转换效率。

应用场景

PDTA114ET,215 晶体管广泛应用于许多电子电路场合,包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其能够有效控制电流,常用于开关电源领域以提高系统的整体效率。
  • 信号放大电路: 结合其高电流增益特性,可用于放大微弱的模拟信号。
  • 驱动电路: 此晶体管也适合驱动LED及其它小功率负载,在各类便携式设备中得到广泛应用。

安装和封装

PDTA114ET,215 采用 TO-236AB 封装,是一种较小的 SOT-23 型表面贴装元件,适合于自动化生产和高速PCB贴片工艺。这种封装尺寸小,能够在空间有限的设计中为电路提供更好的集成效果。

生产商信息

本产品由 Nexperia(安世)生产,该公司以提供高质量、高可靠性的半导体器件而闻名。Nexperia 的产品广泛应用于汽车、工业和消费类电子领域,产品质量和生产能力均得到了业界的认可和赞誉。

结论

PDTA114ET,215 是一种在多种应用场景中均具竞争力的 PNP 晶体管,凭借其强大的性能参数和高集成度,能够满足现代电子设备对小型化、低功耗和高效能的需求。无论是进行开关控制,还是进行信号放大,PDTA114ET,215 都是理想的选择。