额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PDTA114ET,215 是一种高性能的 PNP 型数字晶体管,专为低功率开关和放大应用而设计。该晶体管采用表面贴装型封装(TO-236AB),便于在各类电子电路板上实现高密度布局。拥有250毫瓦的额定功率和50伏的集射极击穿电压,使这个元件在众多应用场景中具备出色的工作性能。
额定功率: 250mW
集电极电流 (Ic): 最高可达100mA
集射极击穿电压 (Vce): 50V
电流 - 集电极截止 (最大值): 1μA
功率 - 最大值: 250mW
DC 电流增益 (hFE): 最小值为 30(在不同的 Ic 和 Vce 条件下)
饱和压降 (最大值): 150mV(在特定Ic和Ib条件下)
PDTA114ET,215 晶体管广泛应用于许多电子电路场合,包括但不限于:
PDTA114ET,215 采用 TO-236AB 封装,是一种较小的 SOT-23 型表面贴装元件,适合于自动化生产和高速PCB贴片工艺。这种封装尺寸小,能够在空间有限的设计中为电路提供更好的集成效果。
本产品由 Nexperia(安世)生产,该公司以提供高质量、高可靠性的半导体器件而闻名。Nexperia 的产品广泛应用于汽车、工业和消费类电子领域,产品质量和生产能力均得到了业界的认可和赞誉。
PDTA114ET,215 是一种在多种应用场景中均具竞争力的 PNP 晶体管,凭借其强大的性能参数和高集成度,能够满足现代电子设备对小型化、低功耗和高效能的需求。无论是进行开关控制,还是进行信号放大,PDTA114ET,215 都是理想的选择。